Особенности процессов полигонизации в прокатанных (001)[110] монокристаллах вольфрама высокой чистоты
Пронина Л.Н.1, Аристова И.М.1, Мазилкин А.А.1
1Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
Email: aristova@issp.ac.ru
Поступила в редакцию: 14 октября 2003 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2004 г.
Методом электронной микроскопии исследованы изменения в дислокационной структуре прокатанных (001)[110] монокристаллов вольфрама высокой чистоты при кратковременных высокотемпературных отжигах. Исследовано влияние температуры и продолжительности отжига на особенности формирования малоугловых границ. Обнаружены образование и диссоциация "локальных" дефектов, аналогичных наблюдавшимся ранее при отжиге в структуре монокристаллических лент молибдена. Сделан вывод о дислокационной природе данных дефектов.
- Л.Н. Пронина, М.В. Баязитова, А.А. Мазилкин. ФТТ 38, 3, 2701 (1993)
- Л.Н. Пронина, И.М. Аристова, А.А. Мазилкин. Материаловедение 4, 7 (1999)
- Л.Н. Пронина, И.М. Аристова. ФТТ 35, 10, 2701 (1993)
- Дж. Хирт, И. Лоте. Теория дислокаций. Атомиздат, М. (1972). 600 с
- Я.Д. Вишняков. Дефекты упаковки в кристаллической структуре. Металлургия, М. (1970). 215 с
- C.S. Hartley. Acta Met. 14, 9, 1193 (1966)
- П. Кулон, Ж. Фридель. В сб.: Дислокации и механические свойства кристаллов. ИЛ, М. (1960). 367 с
- Л.Н. Пронина, А.А. Мазилкин, И.М. Аристова. ФТТ 40, 3, 498 (1998)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.