Вышедшие номера
Электронная локализация в проводящих пленках Ленгмюра--Блоджетт
Галчёнков Л.А.1, Иванов С.Н.1, Пятайкин И.И.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Email: iip@mail.cplire.ru
Поступила в редакцию: 14 октября 2003 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2004 г.

Изучена температурная зависимость внутрикристаллитной проводимости пленок Ленгмюра-Блоджетт комплекса с переносом заряда (КПЗ) (C16H33-TCNQ)0.4(C17H35-DMTTF)0.6, измеренная по затуханию поверхностных акустических волн в пьезоэлектрических линиях задержки, покрытых исследуемой пленкой ((C16H33-TCNO)0.4(C17H35-DMTTF)0.6 - поверхностно-активный КПЗ на основе смеси 1.5:1 гептадецилдиметилтетратиафульвалена (C17H35-DMTTF) и гексадецилтетрацианохинодиметана (C16H33-TCNQ)). Обнаружено, что на температурной зависимости внутрикристаллитной проводимости при TMD=193.5 K имеется максимум, причем выше TMD проводимость пленок носит металлический характер (dsigma/d T<0), а ниже этой температуры изменяется по закону, близкому к одномерному моттовскому. Показано, что уменьшение проводимости с понижением температуры при T<TMD связано с локализацией электронных состояний в изучаемой нами квазиодномерной системе и вызвано наличием примесей и дефектов в цепочках TCNQ, по которым происходит распространение заряда. Установлено, что наблюдаемое изменение проводимости с температурой ниже TMD качественно и количественно согласуется с моделью локализации в квазиодномерной системе со слабым беспорядком, предложенной ранее Нахмедовым, Пригодиным и Самухиным. Аппроксимация экспериментальных результатов теоретическими зависимостями, полученными в рамках этой модели, позволила установить времена электрон-фононного и электрон-примесного рассеяния. Исходя из параметров структуры проводящего слоя оценены плотность состояний на уровне Ферми и скорость Ферми в исследованных пленках, что позволило определить длины свободного пробега и локализации в них. Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (проекты N 01-02-16068 и 03-02-22001) и грантом президента РФ по поддержке ведущих научных школ (НШ 1391.2003.2).