Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2016, выпуск 3 » Статья стр. 417
>>>
Диффузионная модель образования ростовых микродефектов: новый подход к дефектообразованию в кристаллах ( О б з о р )
Таланин В.И.1, Таланин И.Е.1
1Институт экономики и информационных технологий, Запорожье, Украина
Email: v.i.talanin@mail.ru
Поступила в редакцию: 8 июля 2015 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2016 г.
PDF версия
Теоретические исследования дефектообразования в полупроводниковом кремнии играют важнейшую роль в продуцировании прорывных идей для технологий следующего поколения. Проведен краткий сравнительный анализ современных теоретических подходов к описанию взаимодействия точечных дефектов и формирования исходной дефектной структуры бездислокационных монокристаллов кремния. Представлены основы диффузионной модели формирования структурных несовершенств во время роста кремния. Показано, что диффузионная модель базируется на процессе высокотемпературной преципитации примеси. Модель высокотемпературной преципитации примеси описывает процессы зарождения, роста и коалесценции примеси во время охлаждения кристалла от 1683 до 300 K. Показано, что диффузионная модель дефектообразования обеспечивает единый подход к формированию дефектной структуры, начиная от роста кристалла и заканчивая производством приборов. Проведено обсуждение возможности применения диффузионной модели дефектообразования для других полупроводниковых кристаллов и металлов. Показано, что диффузионная модель дефектообразования представляет платформу для многофункционального решения многих ключевых проблем современной физики твердого тела. Рассмотрены основы практического применения диффузионной модели для инженерии дефектов в кристаллах с использованием современных информационных технологий. Предложен алгоритм расчета и анализа дефектной структуры кристаллов.
  1. A.J.R. d Kock. In: Defects in semiconductors / Eds J. Narayan, T.Y. Tan. North-Holland Publ. Co., Amsterdam (1981). P. 309
  2. А.А. Ситникова, Л.М. Сорокин, И.Е. Таланин, К.Л. Малышев, Э.Г. Шейхет, Э.С. Фалькевич. ФТТ 28, 1829 (1986)
  3. A. Bourret, J. Thibault-Desseaux, D.N. Seidman. J. Appl. Phys. 55, 825 (1984)
  4. V.T. Bublik, N.M. Zotov. Crystallogr. Rep. 44, 635 (1997)
  5. S. Sadamitsu, S. Umeno, Y. Koike, M. Hourai, S. Sumita, T. Shigematsu. Jpn. J. Appl. Phys. 32, 3675 (1993)
  6. K. Harada, H. Tanaka, T. Watanabe, H. Furuya. Jpn. J. Appl. Phys. 37, 3194 (1998)
  7. V.I. Talanin, I.E. Talanin, D.I. Levinson. Semicond. Sci. Technol. 17, 104 (2002)
  8. P.M. Petroff, A.J.R. d Kock. J. Cryst. Growth 30, 117 (1975)
  9. H. Foll, B.O. Kolbesen. J. Appl. Phys. 8, 319 (1975)
  10. M. Itsumi. J. Cryst. Growth 237--239, 1773 (2002)
  11. M. Kato, T. Yoshida, Y. Ikeda, Y. Kitagawara. Jpn. J. Appl. Phys. 35, 5597 (1996)
  12. V.I. Talanin, I.E. Talanin. In: New research on semiconductors / Ed. T.B. Elliot. Nova Science Publ., Inc., N.Y. (2006). P. 31
  13. V.V. Voronkov. J. Cryst. Growth 59, 625 (1982)
  14. V.V. Voronkov, B. Dai, M.S. Kulkarni. Comp. Sem. Sci. Technol. 3, 81 (2011)
  15. V.V. Voronkov. J. Cryst. Growth 310, 442 (2008)
  16. V.I. Talanin, I.E. Talanin, D.I. Levinson. Cryst. Res. Technol. 37, 983 (2002)
  17. P.J. Roksnoer, M.M.B. van den Boom. J. Cryst. Growth 53, 563 (1981)
  18. V.V. Voronkov, R. Falster. J. Cryst. Growth 351, 115 (2012)
  19. M.S. Kulkarni. J. Cryst. Growth 303, 438 (2007)
  20. T. Abe. J. Cryst. Growth 327, 1 (2011)
  21. T. Abe, T. Takahashi. J. Cryst. Growth 334, 16 (2011)
  22. J. Vanhellemont. J. Appl. Phys. 110, 063 519 (2011)
  23. V.I. Talanin, I.E. Talanin. Defect Diffusion Forum 230--232,177 (2004)
  24. M.S. Kulkarni, V.V. Voronkov, R. Falster. J. Electrochem. Soc. 151, G663 (2004)
  25. M.S. Kulkarni. Ind. Eng. Chem. Res. 44, 6246 (2005)
  26. W. Wijaranakula. J. Electrochem. Soc. 140, 3306 (1993)
  27. V.V. Voronkov, R. Falster. J. Cryst. Growth 194, 76 (1998)
  28. T. Sinno, R.A. Brown, W. von Ammon, E. Dornberger. J. Electrochem. Soc. 145, 302 (1998)
  29. K. Nakamura, T. Saishoji, T. Kubota, T. Iida, Y. Shimanuki, T. Kotooka, J. Tomioka. J. Cryst. Growth 180, 61 (1997)
  30. T. Sinno, R.A. Brown. J. Electrochem. Soc. 146, 2300 (1999)
  31. Z. Wang, R.A. Brown. J. Cryst. Growth 231, 442 (2001)
  32. R.A. Brown, Z. Wang, T. Mori. J. Cryst. Growth 225, 97 (2001)
  33. M.S. Kulkarni. J. Cryst. Growth 310, 324 (2008)
  34. Е.М. Лифшиц, Л.П. Питаевский. Физическая кинетика. Наука, М. (1979). 420 с
  35. V.I. Talanin, I.E. Talanin. Phys. Status Solidi A 200, 297 (2003)
  36. U. Gosele, W. Frank, A. Seeger. J. Appl. Phys. 23, 361 (1980)
  37. U. Gosele, W. Frank, A. Seeger. Solid State Commun. 45, 31 (1983)
  38. M. Ian Hodge. J. Res. Natl. Inst. Stand. Technol. 102, 195 (1997)
  39. В.И. Таланин, И.Е. Таланин. ФТТ 49, 450 (2007)
  40. J. Dzelme, I. Ertsinsh, B. Zapol, A. Misiuk. Phys. Status Solidi A 171, 197 (1999)
  41. L. Fedina, A. Gutakovskii, A. Aseev, J. van Landujt, J. Vanhellemont. Phys. Status Solidi A 171, 147 (1999)
  42. L. Fedina, A. Gutakovskii, A. Aseev. Cryst. Res. Technol. 35, 775 (2000)
  43. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Appl. Phys. 113, 024 909 (2013)
  44. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 56, 761 (2014)
  45. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. D: Appl. Phys. 47, 313 001 (2014)
  46. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. Механика твердого тела 2, 122 (2013)
  47. Р.В. Гольдштейн, М.В. Меженный, М.Г. Мильвидский, В.Я. Резник, К.Б. Устинов, П.С. Шушпанников. ФТТ 53, 493 (2011)
  48. В.И. Таланин, И.Е. Таланин. ФТТ 56, 1978 (2014)
  49. J.W. Cristian. The theory of transformations in metals and alloys. Pergamon Press. London (1965). 973 p
  50. E. Haimi. In: Handbook of silicon based MEMS materials and technologies / Eds V. Lindroos, M. Tilli, A. Lehto, T. Motooka. Elsevier Publ., Inc., Oxford (2010). P. 59
  51. J. Vanhellemont, C. Claeys. J. Appl. Phys. 62, 3960 (1987)
  52. V.I. Talanin, I.E. Talanin, N.Ph. Ustimenko. Crystallogr. Rep. 57, 26 (2012)
  53. В.И. Таланин, И.Е. Таланин. ФТТ 52, 1925 (2010)
  54. В.И. Таланин, И.Е. Таланин. ФТТ 53, 114 (2011)
  55. В.И. Таланин, И.Е. Таланин. ФТТ 52, 1751 (2010)
  56. V.I. Talanin, I.E. Talanin. In: Advances in crystallization processes / Ed. Y. Mastai. INTECH Publ., Rijeka (2012). P. 611
  57. V.I. Talanin, I.E. Talanin, A.A. Voronin. Can. J. Phys. 85, 1459 (2007)
  58. V.I. Talanin, I.E. Talanin, A.A. Voronin. Cryst. Rep. 53, 1124 (2008)
  59. A.A. Sitnikova, L.M. Sorokin, I.E. Talanin, E.G. Sheikhet, E.S. Falkevich. Phys. Status Solidi 81, 433 (1984)
  60. A.A. Sitnikova, L.M. Sorokin, I.E. Talanin, E.G. Sheikhet, E.S. Falkevich. Phys. Status Solidi 90, K31 (1985)
  61. V.I. Talanin, I.E. Talanin. J. Cryst. Growth 346, 45 (2012)
  62. В.И. Таланин, И.Е. Таланин. ФТТ 55, 247 (2013)
  63. V.I. Talanin, I.E. Talanin, N.Ph. Ustimenko. Sci. Technol. 2, 130 (2012)
  64. V.I. Talanin, I.E. Talanin, N.Ph. Ustimenko. J. Crystallization Proc. Technol. 1, 13 (2011)
  65. L.S. Metlov. Phys. Rev. Lett. 106, 165 506 (2011)
  66. C.F. Bolling, D. Fainstein. Phil. Mag. 25, 45 (1972)
  67. И.К. Засимчук, Е.П. Павлова. Кристаллография 33, 673 (1988)
  68. A. Steinemann, H.R. Wintler, U. Zimmerli. Helv. Phys. Acta 41, 1210 (1968).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme