Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электрофизические свойства пленок CdxHg1-xTe (x=0.3), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Si(013)
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
Email: yakushev@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 22 июля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2016 г.
Исследованы электрофизические свойства нелегированных и легированных индием в процессе роста пленок CdxHg1-xTe с x~ 0.3. После выращивания пленки подвергались температурным обработкам в парах ртути. Магнетополевые зависимости эффекта Холла в диапазоне магнитных полей 0.05-1.0 T при 77 K объясняются наличием в пленках двух типов электронов: с высокой и низкой подвижностями. Температурные зависимости времени жизни неосновных носителей в интервале 77-300 K указывают на присутствие в пленках после роста ловушек двух типов, имеющих разное энергетическое положение. Отжиг при насыщенном давлении паров ртути увеличивает время жизни за счет подавления рекомбинационных центров, которые могут быть связаны с ростовыми дефектами в гетероструктурах CdxHg1-xTe/CdTe/Si. Работа выполнена при поддержке гранта Минобрнауки РФ RFMEFI60414X0134.
- G. Destefanis, J. Baylet, J. Rothman, J.P. Camonial, A. Million. J. Electron. Mater. 36, 1031 (2007)
- G. Destefanis. J. Cryst. Growth 86, 700 (1988)
- G. Destefanis, P. Tribolet, M. Vuillermet, D.B. Lanfrey. Proc. SPIE 8012, 801235 (2011)
- N. Baier, L. Mollard, O. Gravrand, G. Bourgeois, J.-P. Zanatta, G. Destefanis, P. Pidancier, L. Tauzi\`ede, A. Bardoux. Proc. SPIE 8353 83532N (2012)
- B.A. Bernevig, T.L. Hughes, S.-C. Zhang. Science, 314, 5806, 1757 (2006)
- J.N. Schulman, T.C. McGill. Appl. Phys. Lett. 34, 10, 663 (1979)
- M. Konig, S. Wiedmann, C. Brune, A. Roth, H. Buhmann, L.W. Molenkamp, X.-L. Qi, S.-C. Zhang. Science 318, 5851, 766 (2007)
- X.C. Zhang, A. Pfeuffer-Jeschke, K. Ortner, V. Hock, H. Buhmann, C.R. Becker, G. Landwehr. Phys. Rev. B 63, 24, 245 305 (2001)
- E. Finkman, Y. Nemirovsky. J. Appl. Phys. 53, 2, 1052 (1982)
- В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, Д.Г. Икусов, Н.Н. Михайлов, Ю.Г. Сидоров, Г.Ю. Сидоров, М.В. Якушев. ФТП 42, 6, 664 (2008)
- V.C. Lopes, A.J. Syllaios, M.C. Chen. Semicond. Sci. Technol. 8, 824 (1993)
- H. Kocer, Y. Durna, M. Demir, O.H. Tekbas. Savunma Bilimleri Dergisi 11, 1, 41 (2012)
- P. Martyniuk, W. Gawron. Metrol. Meas. Syst. XXI, 4, 675 (2014)
- P. Martyniuk, A. Kozniewski, A. Keblowski, W. Gawron, A. Rogalski. Opto-Electron. Rev. 22, 2, 118 (2014)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
