Изучены механизм, кинетика анодного разрушения полярных плоскостей 111 n-GaAs и морфологические особенности формируемых окисных пленок при потенциостатическом режиме поляризации в слабокислых растворах электролитов. Установлено, что анодная поляризация галлиевой плоскости (111) Ga обеспечивает формирование пористой структуры как самой монокристаллической матрицы, так и окисной пленки, имеющей планарную топологию. При этом плотность пор всегда оказывается соизмеримой с поверхностной концентрацией легирующей примеси. Анодная поляризация мышьяковистой плоскости (111) As в отличие от галлиевой обеспечивает тангенциальный механизм разрушения полупроводниковой матрицы и островковую морфологию окисла. Одинаковая кристаллографическая ориентация островков определяется направляющим действием семейства окисляемых плоскостей 111 GaAs. Но независимо от кристаллографической ориентации полярной плоскости формируемый окисел представлен поликристаллическим As₂O₃ и аморфным Ga₂O₃.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.