Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Примесно-дефектное излучение нелегированных монокристаллов Cd1-xZnxTe вблизи края собственного поглощения
Российский научный фонд, Гранты для поддержки ведущих лабораторий, 14-22-00273
Кривобок В.С.1,2, Денисов И.А.3, Можевитина Е.Н.3, Николаев С.Н.1, Онищенко Е.Е.1, Пручкина А.А.1, Силина А.А.3, Смирнова Н.А.3, Чернопицский М.А.1, Шматов Н.И.3
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия 
2Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
3Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности Гиредмет", Москва, Россия
2Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
3Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности Гиредмет", Москва, Россия
Email: krivobok@lebedev.ru
Поступила в редакцию: 14 октября 2015 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2016 г.
На основе измерений низкотемпературной фотолюминесценции проведено исследование мелких примесно-дефектных состояний в нелегированных монокристаллах Cd1-xZnxTe (x~3-6%). Влияние цинка, в основном, сводится к жесткому сдвигу всех особенностей, связанных с экситонным излучением, что позволило с высокой (~0.3 meV) точностью измерить ширину запрещенной зоны и концентрацию цинка в твердых растворах. Во всех исследованных кристаллах регистрируются водородоподобные доноры с энергией основного состояния ~14 meV и четыре типа акцепторов со средней энергией активации 59.3±0.6 meV, 69.6±1.5 meV, 155.8±2.0 meV и 52.3±0.6 meV. Сопоставление с результатами анализа примесного фона и литературными данными по примесно-дефектному излучению в нелегированном CdTe позволяет приписать первые три акцептора примесям замещения NaCd, PTe и CuCd соответственно. Наиболее мелкий акцептор (52.3±0.6 meV) представляет собой комплексный дефект, у которого существует нестандартный возбужденный уровень, отстоящий от основного всего на 7 meV. Этот уровень возникает, по-видимому, за счет снятия вырождения, характерного для TD акцепторов, низкосимметричным потенциалом комплексного дефекта. Работа выполнена при финансовой поддержке РНФ (14-22-00273).
- A. Lindstrom, M. Klintenberg, B. Sanyal, S. Mirbt. AIP Adv. 5, 087 101 (2015)
- D. Aberg, P. Erhart, V. Lordi. Phys. Rev. B 88, 045 201 (2013)
- B. Fluegel, K. Alberi, M.J. DiNezza, S. Liu, Y.-H. Zhang, A. Mascarenhas. Phys. Rev. Appl. 2, 034 010 (2014)
- V. Babentsov, J. Franc, R.B. James. Appl. Phys. Lett. 94, 052 102 (2009)
- Jie Ma, Jihui Yang, Su-Huai Wei, J.L.F. Da Silva. Phys. Rev. B 90, 155 208 (2014)
- M.-H. Du, H. Takenaka, D.J. Singh. J. Appl. Phys. 104, 093 521 (2008)
- C. Buurma, S. Krishnamurthy, S. Sivananthan. J. Appl. Phys. 116, 013 102 (2014)
- A. Carvalho, A.K. Tagantsev, S. Oberg, P.R. Briddon, N. Setter. Phys. Rev. B 81, 075 215 (2010)
- В.С. Багаев, В.С. Кривобок, Е.Е. Онищенко, М.Л. Скориков, А.А. Шепель. ЖЭТФ 140, 929 (2011)
- K. Akimoto, T. Kobayashi, T. Ogawa, W. Ohtsuka, T. Maruyama, Y. Kitajima. J. Cryst. Growth 184/185, 480 (1998)
- Al.A. Kolomenskii, H.A. Schuessler. Phys. Rev. B 52, 16 (1995)
- S.-H. Wei, S.B. Zhang. Phys. Rev. B 66, 155 211 (2002)
- D.M. Hofmann, P. Omling, H.G. Grimmeiss, B.K. Meyer, K.W. Benz, D. Sinerius. Phys. Rev. B 45, 6247 (1992)
- L. Zhang, J.L.F. Da Silva, J. Li, Y. Yan, T.A. Gessert, S.-H. Wei. Phys. Rev. Lett. 101, 155 501 (2008)
- V. Consonni, G. Feuillet, J.P. Barnes, F. Donatini. Phys. Rev. B 80, 165 207 (2009)
- J. Ma, S.-H. Wei, T.A. Gessert, K.K. Chin. Phys. Rev. B 83, 245 207 (2011)
- В.С. Багаев, Ю.В. Клевков, В.С. Кривобок, В.П. Мартовицкий, В.В. Зайцев, С.Г. Черноок, Е.Е. Онищенко. ФТТ 50, 774 (2008)
- Н.И. Шматов, Н.А. Смирнова, А.Г. Белов, В.А. Оранский, А.А. Шленский. Материалы электрон. техн. 3, 28 (2006)
- А.Г. Белов, В.Е. Каневский, Н.В. Пашкова, А.А. Шленский. Материалы электрон. техн. 1, 26 (2008)
- D.N. Talwar, Z.C. Feng, P. Becla. Phys. Rev. B 48, 17 064 (1993)
- P.J. Dean, D.C. Herbert. Excitons / Ed. K. Cho. Springer-Verlag, (1979). С. 135
- C.B. Davis, D.D. Allred. Phys. Rev. B 47, 13, 363 (1993)
- В.С. Багаев, Ю.В. Клевков, С.А. Колосов, В.С. Кривобок, А.А. Шепель. ФТТ 53, 1479 (2011)
- В.С. Багаев, Ю.В. Клевков, С.А. Колосов, В.С. Кривобок, Е.Е. Онищенко, А.А. Шепель. ФТП 45, 908 (2011)
- E. Molva, J.L. Pautrat, K. Saminadayar, G. Milchberg, N. Magnea. Phys. Rev. B 30, 3344 (1984)
- V. Consonni, G. Feuillet. J. Appl. Phys. 105, 083 535 (2009)
- В.С. Багаев, Ю.В. Клевков, С.А. Колосов, В.С. Кривобок, А.А. Шепель. ФТТ 52, 37 (2010)
- В.С. Багаев, В.В. Зайцев, Ю.В. Клевков, В.С. Кривобок. ФТП 47, 1758 (2005)
- J.M. Francou, K. Saminadayar, J.L. Pautrat. Phys. Rev. B 41, 12 035 (1990)
- Narrow gap cadmium-based compounds / Ed. P. Capper. IEE, (1994). С. 443
- E. Molva, J.P. Chamonal, J.L. Pautrat. Phys. Status Solidi B 109, 635 (1982)
- W. Ossau, T.A. Kuhn, R.N. Bicknell-Tassius. J. Cryst. Growth 101, 135 (1990)
- B. Monemar, E. Molva. Phys. Rev. B 32, 6554 (1985)
- S.H. Song, J. Wang, Y. Ishikawa, S. Seto, M. Isshiki. J. Cryst. Growth 237--239, 1726 (2002)
- А.А. Пручкина, В.С. Кривобок, С.Н. Николаев, Е.Е. Онищенко, А.Г. Белов, Н.А. Денисов, В.Н. Меринов. Письма в ЖЭТФ 98, 508 (2013)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
