Вышедшие номера
Дифференциальный анализ спектров краевой фотолюминесценции монокристаллов Ge различных ориентаций в условиях двухосных растягивающих напряжений
Емельянов А.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Emelyanov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 10 сентября 2015 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2016 г.

С использованием предложенного автором дифференциального метода анализа спектров люминесценции полупроводников проведен анализ опубликованных ранее спектров фотолюминесценции объемных монокристаллов германия ориентаций (100), (110) и (111) при различных двухосных механических растягивающих напряжениях. С ростом напряжений для всех ориентаций происходит обусловленное сужением прямой запрещенной зоны Ge смещение максимумов дифференциальных спектров в области прямых излучательных переходов в сторону меньших энергий квантов. При этом максимумы дифференциальных спектров в области непрямых излучательных переходов практически не смещаются. Это указывает на независимость ширины непрямой зоны Ge от растягивающих напряжений, по крайней мере при их величинах до ~0.2-0.3%.