Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Гексагональные двумерные слои соединений ANB8-N на полупроводниках
Давыдов С.Ю.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: Sergei_Davydov@mail.ru
Поступила в редакцию: 17 ноября 2015 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2016 г.
С использованием параболической модели электронного спектра подложки и низкоэнергетической аппроксимации закона дисперсии для двумерных гексагональных соединений ANB8-N исследована зависимость плотности состояний эпитаксиального слоя от величины запрещенной зоны субстрата и ширины щели графеноподобного соединения (ГПС) в свободном состоянии, их взаиморасположения и безразмерной константы связи слой-подложка C. Показано, что при превышении константой C определенных критических значений плотность состояний эпитаксиального слоя испытывает качественные изменения. Рассматривались как плоские, так и измятые эпитаксиальные слои. Приведены оценки перераспределения заряда при трансформации плотности состояний ГПС.
- H. Sahin, S. Cahangirov, M. Topsakal, E. Bekaroglu, E. Akturk, R.T. Senger, S. Ciraci. Phys. Rev. B 80, 155 453 (2009)
- T. Suzuki, Y. Yokomizo. Physica E 40, 2820 (2010)
- S. Wang. J. Phys. Soc. Jpn. 79, 064 602 (2010)
- H.L. Zhuang, R.G. Hennig. Appl. Phys. Lett. 101, 153 109 (2012)
- G. Mukhopadhyay, H. Behera. World J. Eng. 10, 39 (2013)
- H.L. Zhuang, A.K. Singh, R.G. Hennig. Phys. Rev. B 87, 165 415 (2013)
- A.K. Singh, H.L. Zhuang, R.G. Hennig. Phys. Rev. B 89, 245 431 (2014)
- C.-J. Tong, H. Zhang, Y.-N. Zhang, H. Liu, L.-M. Liu. J. Mater. Chem. A 2, 17 971 (2014)
- R.M. Feenstra, D. Jena, G. Gu. J. Appl. Phys. 111, 043 711 (2012)
- J. Beheshtian, D.A. Sadeghi, M. Neek-Amal, K.H. Michel, F.M. Peeters. Phys. Rev. B 86, 195 433 (2012)
- M. Neek-Amal, F.M. Peeters. Appl. Phys. Lett. 104, 041 909 (2014)
- V. Zoliomi, J.R. Wallbank, V.I. Fal'ko. 2D Materials 1, 011 005 (2014)
- A. Hashmi, J. Hong. J. Appl. Phys. 115, 194 304 (2014)
- J.E. Padilha, A. Fazzio, A.J.R. da Silva. Phys. Rev. Lett. 114, 066 803 (2015)
- G. Gumbs, A. Iurov, D. Huang, W. Pan. J. Appl. Phys. 118, 054 303 (2015)
- С.Ю. Давыдов. ФТТ, 58, 4, 779 (2016)
- С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, О.В. Посредник. Элементарное введение в теорию наносистем. Изд-во "Лань", Спб. (2014). 192 с
- С.Ю. Давыдов. Теория адсорбции: метод модельных гамильтонианов. Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", СПб. (2013). 235 с. twirpx.com/file/1596114/
- A.H. Castro Neto, F. Guinea, N.M.R. Peres, R.S. Novoselov, A.K. Geim. Rev. Mod. Phys. 81, 109 (2009)
- С.Ю. Давыдов. ЖТФ 84, 1, 155 (2014)
- С.Ю. Давыдов. ФТП 48, 49 (2014)
- У. Харрисон. Электронная структура и свойства твердых тел. Мир, М. (1983). Т. 1. 382 с
- W.A. Harrison. Phys. Rev. B 31, 2121 (1985)
- С.Ю. Давыдов, О.В. Посредник. Метод связывающих орбиталей в теории полупроводников. Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", СПб. (2007). 96 с. twirpx.com/file/1014608/
- Ф. Бехштедт, Р. Эндерлайн. Поверхности и границы раздела полупроводников. Мир, М. (1990). 488 с
- A.K. Geim, I.V. Grigorieva. Nature 499, 420 (2013)
- И.В. Антонова. ФТП 50, 67 (2016)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
