Вышедшие номера
Смешанная (ионная и дырочная) проводимость кристаллов Tl3VS4
Беляев Б.В.1, Грицких В.А.1, Жихарев И.В.1, Кара-Мурза С.В.1, Корчикова Н.В.1
1Луганский национальный педагогический университет им. Т. Шевченко, Луганск, Украина
Поступила в редакцию: 10 ноября 2003 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2004 г.

Предложена модель смешанной (ионной и дырочной) проводимости в кристаллах Tl3VS4 при температурах, близких к комнатной. Значительная доля ионной составляющей проводимости (около 70% от общей) объясняется наличием в материале нестехиометрических электрически активных вакансий таллия, акцепторные уровни которых обеспечивают p-тип проводимости. Для описания характерной зависимости напряжения на образце от времени в режимах поляризации и деполяризации использовалась диффузионная теория смешанной проводимости, развитая ранее Йокотой. Приведены результаты экспериментальных исследований явлений переноса заряда в Tl3VS4 и их обработка в соответствии с теоретической моделью.