Вышедшие номера
Концентрационная зависимость радиационно-стимулированных изменений оптических свойств пленок GexAs40-xS60
Маслюк В.Т.1, Скордева Е.2, Пуга П.П.1, Арсова Д.2, Памукчиева В.2
1Институт электронной физики НАН Украины, Ужгород, Украина
2Институт физики твердого тела Болгарской академии наук, София, Болгария
Email: maslyuk@univ.uzhgorod.
Поступила в редакцию: 12 ноября 2003 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2004 г.

Представлены результаты исследования концентрационной зависимости радиационно-индуцированных изменений оптических свойств халькогенидных стекол (ХС) системы Ge-As-S. Теоретический расчет учитывает возможные ограничения на область "переключений" гомо-, гетеросвязей структурной сетки ХС. Экспериментальные данные получены при облучении (быстрые электроны, 6 MeV) тонких пленок системы GexAs40-xS60. Обсуждается возможный механизм структурных превращений ХС, ответственный за особенности концентрационной зависимости амплитуды изменения их ширины запрещенной зоны. Работа выполнена в рамках международного Болгаро-Украинского договора о научном сотрудничестве между академическими институтами.