Концентрационная зависимость радиационно-стимулированных изменений оптических свойств пленок GexAs40-xS60
Маслюк В.Т.1, Скордева Е.2, Пуга П.П.1, Арсова Д.2, Памукчиева В.2
1Институт электронной физики НАН Украины, Ужгород, Украина
2Институт физики твердого тела Болгарской академии наук, София, Болгария
Email: maslyuk@univ.uzhgorod.
Поступила в редакцию: 12 ноября 2003 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2004 г.
Представлены результаты исследования концентрационной зависимости радиационно-индуцированных изменений оптических свойств халькогенидных стекол (ХС) системы Ge-As-S. Теоретический расчет учитывает возможные ограничения на область "переключений" гомо-, гетеросвязей структурной сетки ХС. Экспериментальные данные получены при облучении (быстрые электроны, 6 MeV) тонких пленок системы GexAs40-xS60. Обсуждается возможный механизм структурных превращений ХС, ответственный за особенности концентрационной зависимости амплитуды изменения их ширины запрещенной зоны. Работа выполнена в рамках международного Болгаро-Украинского договора о научном сотрудничестве между академическими институтами.
- R. Kerner. Physica B 215, 2, 267 (1995)
- R. Kerner, M. Micoulaut. J. Phys.: Cond. Matter 9, 12, 2551 (1997)
- J.C. Phillips. Phys. Rev. B 54, 10. R6807 (1996)
- Ke. Tanaka. Phys. Rev. B 39, 2, 70 (1989)
- Р.Л. Мюллер. Природа электропроводности стеклообразных полупроводников. Изд-во ЛГУ, Л. (1965)
- В.Т. Маслюк, Л.И. Дойников, П.П. Пуга. ФХС 29, 5, 627 (2001)
- P. Manca. J. Phys. Chem. Solids 20, 3/4, 268 (1961)
- Л.Н. Блинов. ФХС 29, 3, 289 (2003)
- В.Т. Маслюк, Л.И. Дойников. ДАН Украины. Сер. А. 8, 61 (1986)
- D. Arsova. J. Phys. Chem. Solids 57, 9, 1279 (1996)
- Л. Полинг. Общая химия. Мир, М. (1974)
- T.T. Nang, M. Okuda, T. Matsushita. Phys. Rev. B 19, 2, 947 (1979)
- E. Vateva, D. Arsova, E. Skordeva, E. Savova. In: "Electronic, Optoelectronic and Magnetic Thin Films". Johb Wiley\&Sons Ins., Singapore (1994). P. 604
- E. Vateva, E. Skordeva. J. Optoelectronics Advanced Materials 4, 1, 3 (2002)
- D. Arsova, V. Pamukchieva, E. Vateva, E. Skordeva. J. Mat. Sci. Materials Electronics (2003), in press
- Н.Д. Савченко, Н.И. Довгошей, Л.Г. Кеслер. Материалы оптоэлектроники. Изд-во "Техника", Киев (1992). Вып. 1. С. 64
- K. Golovchak. Proc. 7th Int. Seminar on Phys. Chem. Solids. Prace Naukowe-Chemia (2001). Vol. 5. P. 199
- E. Skordeva, K. Christova, M. Tzolov, Z. Dimitrova. Appl. Phys. A 66, 103 (1998)
- T. Velinov, M. Gateshki, D. Arsova, E. Vateva. Phys. Rev. B 55, 17, 1014 (1997)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.