Методом хлоридной эпитаксии на пластинах кремния ориентации (111) с буферным слоем нано SiC выращены хорошо текстурированные, близкие по структуре к эпитаксиальным слои оксида галлия beta-Ga₂O₃ толщиной ~1 mum. Для улучшения роста на поверхности кремния предварительно был синтезирован методом замещения атомов высококачественный буферный слой карбида кремния толщиной ~100 nm. Пленки beta-Ga₂O₃ всесторонне исследованы методами электронографии, эллипсометрии, рентгеноструктурного анализа, растровой электронной микроскопии и микрорамановской спектроскопии. Исследования показали, что пленки текстурированы со структурой, близкой к эпитаксиапльной, и состоят из чистой beta-фазы Ga₂O₃, имеющей ориентацию (201). Измерена зависимость диэлектрической проницаемости эпитаксиального beta-Ga₂O₃ от энергии фотона в дипазоне 0.7-6.5 eV в изотропном приближении. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов и Н.А. Феоктистов выражают благодарность РФФИ за финансовую поддержку (гранты N 15-0306155 и 16-29-03149_2016-офи). В.И. Николаев и А.И. Печников благодарят за финансовую поддержку Российский научный фонд (грант РНФ N 14-29-00086) в исследовании эпитаксиального роста оксида галлия.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.