Вышедшие номера
Влияние распределения энергии магнитной анизотропии кластеров MnSb на спонтанное перемагничивание тонких пленок GaMnSb
Дмитриев А.И.1, Филатов А.А.2
1Институт проблем химической физики РАН, Черноголовка, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Email: aid@icp.ac.ru
Поступила в редакцию: 6 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2016 г.

Измерены температурные m(T) и временные m(t) зависимости магнитного момента тонких пленок GaMnSb, содержащих кластеры MnSb. Зависимости m(t) спрямляются в полулогарифмических координатах m(ln t). Исследованы температурные зависимости магнитной вязкости S(T), соответствующей угловому коэффициенту прямых m(ln t). Обнаружено, что характер зависимостей S(T) определяется логнормальным распределением энергии магнитной анизотропии кластеров MnSb. Установлено, что вид зависимостей m(T), измеренных после охлаждения пленок в нулевом магнитном поле (ZFC) и магнитном поле H=10 kOe (FC), также определяется логнормальным распределением энергии магнитной анизотропии кластеров MnSb. Работа поддержана грантом Президента РФ МК-5754.2016.3.