Приводятся результаты измерений и анализа температурно-частотных зависимостей диэлектрической проницаемости и потерь, удельного электрического сопротивления сегнетоэлектрических кристаллов Pb₅Ge₃O₁₁ в области 100-600 K и 0.1-100 kHz. Диэлектрические характеристики кристаллов помимо выраженных аномалий в области точки Кюри T_c=450 K проявляют менее выраженные аномалии релаксационного характера в области 230-260 K. На основе полученных данных о влиянии на низкотемпературные аномалии различных факторов (степени поляризации кристаллов, их обжига при разных температурах в различных средах и др.) обсуждаются возможные механизмы их возникновения. Делается заключение, что причиной появления низкотемпературных диэлектрических аномалий являются процессы термолокализации носителей заряда на дефектных уровнях в запрещенной зоне с образованием локальных поляризованных состояний. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 02-02-17798).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.