Вышедшие номера
Влияние величины тока на электролюминесценцию дефектов, обусловленных высокотемпературным постимплантационным отжигом Si:(Er,O)-структур в хлорсодержащей атмосфере
Емельянов А.М.1, Шек Е.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Emelyanov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 26 ноября 2003 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2004 г.

Исследована зависимость дефектной электролюминесценции (ЭЛ) от величины прямого тока в кремниевых структурах, полученных путем имплантации ионов эрбия и кислорода в монокристаллический кремний с последующим отжигом в хлорсодержащей атмосфере при 1100oC. При 80 K с ростом тока наблюдается увеличение энергий квантов, отвечающих максимумам двух пиков дефектной ЭЛ: от 0.807 и 0.87 eV до 0.85 и 0.92 eV соответственно. С ростом тока происходит также увеличение полуширины пиков и интенсивности ЭЛ. Для объяснения наблюдаемых эффектов развита предложенная ранее для дефектной ЭЛ в пластически деформированном кремнии модель, которая предполагает возможность создания инверсной населенности по четырехуровневой схеме. Работа частично поддержана INTAS (грант N 2001-0194) и Российским фондом фундаментальных исследований (грант N 02-02-16374).