Экспериментальное определение констант абсолютных объемных деформационных потенциалов экстремумов зон полупроводников
Даунов М.И.1, Камилов И.К.1, Габибов С.Ф.1
1Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
Email: kamilov@datacom.ru
Поступила в редакцию: 18 ноября 2003 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2004 г.
Для определения констант абсолютных объемных деформационных потенциалов (КАОДП) краев зон проводимости и валентной зоны в полупроводниках предлагается использовать объемно-концентрационный эффект, концепцию независимости энергии глубоких примесных центров от давления и данные об удельном сопротивлении и коэффициенте Холла. По нашим и опубликованным другими авторами данным определены КАОДП зон проводимости и валентной зоны в Ge, GaAs, InAs и InSb. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 02-02-17888).
- K. Kosaka, K. Takarabe. Phys. Stat. Sol. (b) 235, 2, 423 (2003)
- П. Ю, М. Кардона. Основы физики полупроводников. Физматлит, М. (2002). 560 с
- М.И. Даунов, И.К. Камилов, С.Ф. Габибов. ФТП 35, 1, 59 (2001)
- M.I. Daunov, I.K. Kamilov, S.F. Gabibov, R.Rh. Akchurin. Phys. Stat. Sol. (b) 223, 1--2, 529 (2001)
- M.I. Daunov, I.K. Kamilov, R.K. Arslanov, S.F. Gabibov, D.M. Daunova. Abstract. XXXIX European High Pressure Research Group Meeting. Spain (2001). P. 34
- М.И. Даунов, А.Б. Магомедов, А.Е. Рамазанова. ФТП 19, 5, 936 (1985)
- П.И. Баранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. Полупроводниковая электроника. Справочник. Наук. думка, Киев (1975). 704 с
- М.И. Даунов, И.К. Камилов, А.Б. Магомедов, А.Ш. Киракосян. ФТП 33, 1, 59 (1999)
- М.И. Даунов, А.Б. Магомедов, А.Е. Рамазанова. Изв. вузов. Физика 8, 98 (1986)
- М.И. Даунов, А.Б. Магомедов, В.И. Данилов. ФТП 25, 3, 467 (1991)
- M.G. Holland, W. Paul. Phys. Rev. 128, 1, 43 (1962)
- W. Paul. Proc. 9th Int. Conf. Semicond. M. (1968). V. 1. P. 51
- В.В. Попов, М.Л. Шубников, С.С. Шалыт, В.В. Косарев. ФТП 11, 10, 1914 (1977)
- А. Плиткас, А. Крокус, Л.А. Балагуров, Е.М. Омельяновский. ФТП 14, 12, 2123 (1980)
- M. Holtz, T. Saungy, T. Dallas, M. Seon, C.P. Palsule, S. Gangopadhyay, S. Massie. Phys. Stat. Sol. (b) 198, 1, 199 (1996)
- Н.Б. Брандт, Е.П. Скипетров. ФНТ 22, 8, 665 (1996)
- В.А. Тележкин, К.Б. Толпыго. ФТП 16, 8, 1337 (1982)
- In-Hwan Chor, P.Y. Yu. Phys. Stat. Sol. (b) 211, 1, 143 (1999)
- V. Iota, A. Weinstein. Phys. Stat. Sol. (b) 211, 1, 91 (1999)
- R.-D. Hong, D.W. Jenkins, S.Y. Ren, J. Dow. Phys. Rev. B 38, 15, 12 549 (1988)
- D.J. Chadi, K.J. Chang. Phys. Rev. Lett. 61, 9, 873 (1988)
- M.I. Daunov, I.K. Kamilov, S.F. Gabibov, A.B. Magomedov. Phys. Stat. Sol. (b) 235, 2, 297 (2003)
- P. Kordos. Phys. Stat. Sol. 33, 2, K129 (1969)
- Е.Г. Пель, В.И. Фистуль, А. Ягшигельдыев, А.Г. Яковенко. ФТП 14, 6, 1220 (1980)
- И.К. Камилов, М.И. Даунов, В.А. Елизаров, А.Б. Магомедов. ЖЭТФ 104, 1 ( 7), 2436 (1993)
- M.D. Frogley, D.J. Dunstan. Phys. Stat. Sol. (b) 211, 1, 17 (1999)
- М. Шашков. Металлургия полупроводников. ГНТИ, М. (1960)
- E.G. Moroni, W. Wolf, J. Hafner, R. Podloucky. Phys. Rev. B 59, 20, 12 860 (1999)
- И.К. Камилов, М.И. Даунов, В.А. Елизаров, А.Б. Магомедов. Письма в ЖЭТФ 54, 10, 589 (1991)
- A.G. Foyt, R.E. Halstad, W. Paul. Phys. Rev. Lett. 16, 1, 55 (1966)
- М.И. Даунов, А.Ю. Моллаев, Р.К. Арсланов, Л.А. Сайпулаева, С.Ф. Габибов. Изв. вузов. Физика 9 (1996); Деп. в ВИНИТИ 20.06.96, рег. N 2038-B96
- In-Hwan Choi, P.Y. Yu. Phys. Stat. Sol. (b) 235, 2, 307 (2003)
- M.I. Daunov, I.K. Kamilov, S.F. Gabibov, A.B. Magomedov. Abstract Joint 19th AIRAPT--41st EHPRG Int. Conf. on High Pressure Science and Technology. Bordeaux, France (2003). P. 153.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.