Вышедшие номера
Электронно-микроскопические исследования образования структурных дефектов в ZnS при облучении электронами с энергией 400 keV
Логинов Ю.Ю.1, Брильков А.В.2, Мозжерин А.В.2
1Сибирский государственный аэрокосмический университет им. академика М.Ф. Решетнева, Красноярск, Россия
2Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия
Email: loginov@sibsau.ru
Поступила в редакцию: 1 марта 2016 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2016 г.

Методом просвечивающей электронной микроскопии исследованы кристаллы ZnS, выращенные из газовой фазы, и эпитаксиальные структуры ZnS/(001)GaAs, выращенные методом металлоорганической парофазной эпитаксии, после облучения in situ в электронном микроскопе при энергии электронов 400 keV и интенсивности (1-4)·1019 e/cm2·s. Показано, что при облучении происходит образование мелких дислокационных петель с размерами 2.5-45 nm и плотностью 1.4·1011 cm-2, а также пор и выделений новой фазы с размерами ≤10 nm. Выделения могут быть идентифицированы с помощью анализа муарового контраста как ZnO и ZnO2.