Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2004, выпуск 10 » Статья стр. 1831
<<<>>>
Изменения электронных, оптических и магнитных свойств пленок LaSrMnO при переходе от ромбоэдрической к орторомбической фазе
Окунев В.Д.1, Самойленко З.А.1, Дьяченко Т.А.1, Szymczak R.1, Lewandowski S.J.1, Szymczak H.1, Baran M.1, Gierlowski P.1
1Донецкий физико-технический институт Национальной академии наук Украины, Донецк, Украина
Поступила в редакцию: 26 сентября 2003 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2004 г.
PDF версия
Показано, что с изменением температуры роста Ts свойства пленок LaSrMnO в области перехода ромбоэдрической фазы в орторомбическую (600-650oC) зависят от взаимодействия металлических (ферромагнитных) Mn-O-кластеров в диэлектрической (антиферромагнитной) матрице. При Ts=<q 600oC низкая плотность eg-состояний и диэлектрическая щель (Eg=0.3-0.5 eV) обеспечивают оптическую прозрачность в области homega=0.5-2 eV, разницу между FC- и ZFC-измерениями намагниченности M(T), высокие значения сопротивления и появление участков, R(T)~ const, связанных с превращением кластеров в систему туннельно-связанных квантовых точек. При Ts>=q 650oC локальное увеличение атомной и электронной плотности вызывает снижение оптического пропускания и сопротивления на 3-9 порядков с максимумом и минимумом на зависимостях R(T) пленок и увеличение M (10 K) на порядок. Сделан вывод о том, что магнитное упорядочение системы кластеров при туннельной связи между ними стимулирует увеличение размера кластеров и концентрации металлической (ферромагнитной) фазы. Данная работа частично поддержана грантом N PBZ-KBN-013/T08/19 правительства Польши.
  1. Э.Л. Нагаев. УФН 166, 8, 833 (1966)
  2. M.O. Dzero, L.P. Gor'kov, V.Z. Kresin. Eur. Phys. J. B 14, 459 (2000)
  3. В.Е. Найш. ФММ 92, 5, 16 (2001)
  4. J.M.D. Coey, M. Viret, S. von Molnsr. Adv. Phys. 48, 2, 167 (1999)
  5. M.B. Salamon, M. Jaime. Rev. Mod. Phys. 73, 583 (2001)
  6. З.А. Самойленко, В.Д. Окунев, Е.И. Пушенко, Т.А. Дьяченко, А. Черенков, P. Gierlowski, S.J. Lewandowski, A. Abal'oshev, A. Klimov, A. Szewczyk. ЖТФ 73, 2, 118 (2003)
  7. Ю.А. Бойков, Т. Клаесон, А.Ю. Бойков. ФТТ 45, 6, 1040 (2003)
  8. Y.G. Zhao, R.C. Srivastava, P. Fournier, V. Smolyaninova, M. Rajeswari, T. Wu, Z.Y. Li, R.L. Greene, T. Venkatesan. J. Magn. Magn. Mater. 220, Oct., 161 (2000)
  9. T. Venkatesan, X.D. Wu, R. Muenchausen, A. Pique. MRS Bull. Feb., 54, (1992)
  10. C. Ghica, M. Valeanu, L.C. Vistor, V. Teodorescu, C. Sandu, C. Ristoscu, I.N. Mihailescu, J. Werckmann, J.-P. Deville. Int. J. Inorg. Mater. 3, 8, 1253 (2001)
  11. S. Kanazawa, T. Ito, K. Yamada, T. Ohkubo, Y. Nomoto, T. Ishihara, Y. Takita. Surf. Coatings Technol. 169-170, 508 (2003)
  12. R.K. Singh, J. Narayan. Phys. Rev. B 41, 13, 8843 (1990)
  13. V.D. Okunev, Z.A. Samoilenko, V.M. Svistunov, A. Abal'oshev, E. Dynowska, P. Gierlowski, A. Klimov, S.J. Lewandowski. J. Appl. Phys. 85, 10, 7282 (1999)
  14. Q. Huang, A. Santoro, J.W. Lynn, R.W. Erwin, J.A. Borchers, J.L. Peng, R.L. Greene. Phys. Rev. B 55, 22, 14 987 (1997)
  15. V.D. Okunev, Z.A. Samoilenko, A. Abal'oshev, A. Abal'osheva, P. Gierlowski, A. Klimov, S.J. Lewandowski, V.N. Varyukin, S. Barbanera. Phys. Rev. B 62, 1, 696 (2000)
  16. В.Д. Окунев, З.А. Самойленко, В.А. Исаев, A. Klimov, S.J. Lewandowski. Письма в ЖТФ 28, 2, 12 (2002)
  17. В.Д. Окунев, Н.Н. Пафомов, В.А. Исаев, Т.А. Дьяченко, A. Klimov, S.J. Lewandowski. ФТТ 44, 1, 150 (2002)
  18. S.G. Kaplan, M. Quijada, H.D. Drew, D.B. Tanner, G.C. Xiong, R. Ramesh, C. Kwon, T. Venkatesan. Phys. Rev. Lett. 77, 10, 2081 (1996)
  19. Y. Okimoto, T. Katsufuji, T. Ishikawa, T. Arima, T. Tokura. Phys. Rev. B 55, 7, 4206 (1997)
  20. Н.Н. Лошкарева, Ю.П. Сухоруков, Е.В. Мостовщикова, Л.В. Номерованная, А.А. Махнев, С.В. Наумов, Е.А. Ганьшина, И.К. Родин, А.С. Москвин, А.М. Балбашов. ЖЭТФ 121, 2, 412 (2002)
  21. Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах. Мир, М. (1982). Т. 1. 368 с
  22. А.С. Москвин, Е.В. Зенков, Ю.Д. Панов, Н.Н. Лошкарева, Ю.П. Сухоруков, Е.В. Мостовщикова. ФТТ 44, 8, 1452 (2002)
  23. M.F. Hundley, J.J. Neumeier. Phys. Rev. B 55, 17, 11 511 (1997)
  24. M.D. Coey, M. Viret, L. Ranno, K. Ounagjela. Phys. Rev. Lett. 75, 3910 (1995)
  25. В.Г. Прохоров, Г.Г. Каминский, В.С. Флис, Янг Пак Ли. ФНТ 25, 10, 1060 (1999)
  26. M. Ziese, C. Srinitiwarawong. Phys. Rev. B 58, 17, 11 519 (1998)
  27. И.О. Троянчук, Л.С. Лобановский, Д.Д. Халявин, В.П. Яруничев, Н.В. Пушкарев, Г. Шимчак. ЖЭТФ 116, 2, 604 (1999)
  28. В.Д. Окунев, Н.Н. Пафомов, А. Абалешев, Х. Бельска-Левандовска, П. Герловски, А. Климов, С. Левандовски. Письма в ЖТФ 26, 20, 20 (2000)
  29. Л.И. Глазман, М.Э. Райх. Письма в ЖЭТФ 47, 378 (1988)
  30. T.K. Ng, P.A. Lee. Phys. Rev. Lett. 61, 1768 (1988)
  31. K. Kikoin, Y. Avishai. Phys. Rev. Lett. 86, 2090 (2001)
  32. Н.Ф. Мотт. Переходы металл-изолятор. Наука, М. (1979). 342 с
  33. А.Е. Карькин, Д.А. Шулятев, А.А. Арсенов, В.А. Черепанов, Е.А. Филонова. ЖЭТФ 116, 2, 671 (1999)
  34. Н.Г. Бебенин, Р.И. Зайнуллина, В.В. Машкауцан, В.С. Гавико, В.В. Устинов, Я.М. Муковский, Д.А. Шулятев. ЖЭТФ 117, 6, 1181 (2000)
  35. Р.В. Демин, Л.И. Королева, Р. Шимчак, Г. Шимчак. Письма в ЖЭТФ 75, 7, 402 (2002)
  36. И.О. Троянчук, О.С. Мантыцкая, А.Н. Чобот, Г. Шимчак. ЖЭТФ 122, 2, 347 (2002)
  37. С.Ф. Дубинин, В.Е. Архипов, М.Я. Муковский, В.Е. Найш, В.Д. Пархоменко, С.Г. Теплоухов. ФММ 93, 3, 60 (2002)
  38. Э.А. Нейфельд, В.Е. Архипов, Н.А. Тумалевич, Я.М. Муковский. Письма в ЖЭТФ 74, 11, 630 (2001)
  39. U. Staub, G.I. Meijer, F. Fauth, R. Allenspach, J.G. Bednorz, J. Karpinski, S.M. Kazakov, L. Paolasini, F. d'Acapito. Phys. Rev. Lett. 88, 12, 126 402 (2002)
  40. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников. Наука, М. (1979). 416 с
  41. А.Б. Ханикаев, А.Б. Грановский, Ж.-П. Клерк. ФТТ 44, 9, 1537 (2002)
  42. J.S. Helman, B. Abeles. Phys. Rev. Lett. 37, 21, 1429 (1976)
  43. S. Lee, H.Y. Hwang, B.I. Shraiman, W.D. Ratcliff, S.-W. Cheong. Phys. Rev. Lett. 82, 22, 4508 (1999).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme