Изменения электронных, оптических и магнитных свойств пленок LaSrMnO при переходе от ромбоэдрической к орторомбической фазе
Окунев В.Д.1, Самойленко З.А.1, Дьяченко Т.А.1, Szymczak R.1, Lewandowski S.J.1, Szymczak H.1, Baran M.1, Gierlowski P.1
1Донецкий физико-технический институт Национальной академии наук Украины, Донецк, Украина
Поступила в редакцию: 26 сентября 2003 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2004 г.
Показано, что с изменением температуры роста Ts свойства пленок LaSrMnO в области перехода ромбоэдрической фазы в орторомбическую (600-650oC) зависят от взаимодействия металлических (ферромагнитных) Mn-O-кластеров в диэлектрической (антиферромагнитной) матрице. При Ts=<q 600oC низкая плотность eg-состояний и диэлектрическая щель (Eg=0.3-0.5 eV) обеспечивают оптическую прозрачность в области homega=0.5-2 eV, разницу между FC- и ZFC-измерениями намагниченности M(T), высокие значения сопротивления и появление участков, R(T)~ const, связанных с превращением кластеров в систему туннельно-связанных квантовых точек. При Ts>=q 650oC локальное увеличение атомной и электронной плотности вызывает снижение оптического пропускания и сопротивления на 3-9 порядков с максимумом и минимумом на зависимостях R(T) пленок и увеличение M (10 K) на порядок. Сделан вывод о том, что магнитное упорядочение системы кластеров при туннельной связи между ними стимулирует увеличение размера кластеров и концентрации металлической (ферромагнитной) фазы. Данная работа частично поддержана грантом N PBZ-KBN-013/T08/19 правительства Польши.
- Э.Л. Нагаев. УФН 166, 8, 833 (1966)
- M.O. Dzero, L.P. Gor'kov, V.Z. Kresin. Eur. Phys. J. B 14, 459 (2000)
- В.Е. Найш. ФММ 92, 5, 16 (2001)
- J.M.D. Coey, M. Viret, S. von Molnsr. Adv. Phys. 48, 2, 167 (1999)
- M.B. Salamon, M. Jaime. Rev. Mod. Phys. 73, 583 (2001)
- З.А. Самойленко, В.Д. Окунев, Е.И. Пушенко, Т.А. Дьяченко, А. Черенков, P. Gierlowski, S.J. Lewandowski, A. Abal'oshev, A. Klimov, A. Szewczyk. ЖТФ 73, 2, 118 (2003)
- Ю.А. Бойков, Т. Клаесон, А.Ю. Бойков. ФТТ 45, 6, 1040 (2003)
- Y.G. Zhao, R.C. Srivastava, P. Fournier, V. Smolyaninova, M. Rajeswari, T. Wu, Z.Y. Li, R.L. Greene, T. Venkatesan. J. Magn. Magn. Mater. 220, Oct., 161 (2000)
- T. Venkatesan, X.D. Wu, R. Muenchausen, A. Pique. MRS Bull. Feb., 54, (1992)
- C. Ghica, M. Valeanu, L.C. Vistor, V. Teodorescu, C. Sandu, C. Ristoscu, I.N. Mihailescu, J. Werckmann, J.-P. Deville. Int. J. Inorg. Mater. 3, 8, 1253 (2001)
- S. Kanazawa, T. Ito, K. Yamada, T. Ohkubo, Y. Nomoto, T. Ishihara, Y. Takita. Surf. Coatings Technol. 169-170, 508 (2003)
- R.K. Singh, J. Narayan. Phys. Rev. B 41, 13, 8843 (1990)
- V.D. Okunev, Z.A. Samoilenko, V.M. Svistunov, A. Abal'oshev, E. Dynowska, P. Gierlowski, A. Klimov, S.J. Lewandowski. J. Appl. Phys. 85, 10, 7282 (1999)
- Q. Huang, A. Santoro, J.W. Lynn, R.W. Erwin, J.A. Borchers, J.L. Peng, R.L. Greene. Phys. Rev. B 55, 22, 14 987 (1997)
- V.D. Okunev, Z.A. Samoilenko, A. Abal'oshev, A. Abal'osheva, P. Gierlowski, A. Klimov, S.J. Lewandowski, V.N. Varyukin, S. Barbanera. Phys. Rev. B 62, 1, 696 (2000)
- В.Д. Окунев, З.А. Самойленко, В.А. Исаев, A. Klimov, S.J. Lewandowski. Письма в ЖТФ 28, 2, 12 (2002)
- В.Д. Окунев, Н.Н. Пафомов, В.А. Исаев, Т.А. Дьяченко, A. Klimov, S.J. Lewandowski. ФТТ 44, 1, 150 (2002)
- S.G. Kaplan, M. Quijada, H.D. Drew, D.B. Tanner, G.C. Xiong, R. Ramesh, C. Kwon, T. Venkatesan. Phys. Rev. Lett. 77, 10, 2081 (1996)
- Y. Okimoto, T. Katsufuji, T. Ishikawa, T. Arima, T. Tokura. Phys. Rev. B 55, 7, 4206 (1997)
- Н.Н. Лошкарева, Ю.П. Сухоруков, Е.В. Мостовщикова, Л.В. Номерованная, А.А. Махнев, С.В. Наумов, Е.А. Ганьшина, И.К. Родин, А.С. Москвин, А.М. Балбашов. ЖЭТФ 121, 2, 412 (2002)
- Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах. Мир, М. (1982). Т. 1. 368 с
- А.С. Москвин, Е.В. Зенков, Ю.Д. Панов, Н.Н. Лошкарева, Ю.П. Сухоруков, Е.В. Мостовщикова. ФТТ 44, 8, 1452 (2002)
- M.F. Hundley, J.J. Neumeier. Phys. Rev. B 55, 17, 11 511 (1997)
- M.D. Coey, M. Viret, L. Ranno, K. Ounagjela. Phys. Rev. Lett. 75, 3910 (1995)
- В.Г. Прохоров, Г.Г. Каминский, В.С. Флис, Янг Пак Ли. ФНТ 25, 10, 1060 (1999)
- M. Ziese, C. Srinitiwarawong. Phys. Rev. B 58, 17, 11 519 (1998)
- И.О. Троянчук, Л.С. Лобановский, Д.Д. Халявин, В.П. Яруничев, Н.В. Пушкарев, Г. Шимчак. ЖЭТФ 116, 2, 604 (1999)
- В.Д. Окунев, Н.Н. Пафомов, А. Абалешев, Х. Бельска-Левандовска, П. Герловски, А. Климов, С. Левандовски. Письма в ЖТФ 26, 20, 20 (2000)
- Л.И. Глазман, М.Э. Райх. Письма в ЖЭТФ 47, 378 (1988)
- T.K. Ng, P.A. Lee. Phys. Rev. Lett. 61, 1768 (1988)
- K. Kikoin, Y. Avishai. Phys. Rev. Lett. 86, 2090 (2001)
- Н.Ф. Мотт. Переходы металл-изолятор. Наука, М. (1979). 342 с
- А.Е. Карькин, Д.А. Шулятев, А.А. Арсенов, В.А. Черепанов, Е.А. Филонова. ЖЭТФ 116, 2, 671 (1999)
- Н.Г. Бебенин, Р.И. Зайнуллина, В.В. Машкауцан, В.С. Гавико, В.В. Устинов, Я.М. Муковский, Д.А. Шулятев. ЖЭТФ 117, 6, 1181 (2000)
- Р.В. Демин, Л.И. Королева, Р. Шимчак, Г. Шимчак. Письма в ЖЭТФ 75, 7, 402 (2002)
- И.О. Троянчук, О.С. Мантыцкая, А.Н. Чобот, Г. Шимчак. ЖЭТФ 122, 2, 347 (2002)
- С.Ф. Дубинин, В.Е. Архипов, М.Я. Муковский, В.Е. Найш, В.Д. Пархоменко, С.Г. Теплоухов. ФММ 93, 3, 60 (2002)
- Э.А. Нейфельд, В.Е. Архипов, Н.А. Тумалевич, Я.М. Муковский. Письма в ЖЭТФ 74, 11, 630 (2001)
- U. Staub, G.I. Meijer, F. Fauth, R. Allenspach, J.G. Bednorz, J. Karpinski, S.M. Kazakov, L. Paolasini, F. d'Acapito. Phys. Rev. Lett. 88, 12, 126 402 (2002)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников. Наука, М. (1979). 416 с
- А.Б. Ханикаев, А.Б. Грановский, Ж.-П. Клерк. ФТТ 44, 9, 1537 (2002)
- J.S. Helman, B. Abeles. Phys. Rev. Lett. 37, 21, 1429 (1976)
- S. Lee, H.Y. Hwang, B.I. Shraiman, W.D. Ratcliff, S.-W. Cheong. Phys. Rev. Lett. 82, 22, 4508 (1999).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
