Сравнительный анализ толщины и электрической проводимости тонких халькогенидных полупроводниковых пленок
Даньшина В.В.
1, Калистратова Л.Ф.
11Омский государственный технический университет, Омск, Россия
Email: danshina_v@mail.ru
Поступила в редакцию: 11 мая 2016 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2016 г.
Проведено рентгенографическое исследование структуры и толщины полупроводниковых пленок халькогенидов цинка и кадмия. Показано, что толщина пленок соизмерима с глубиной половинного слоя ослабления рентгеновских лучей. При нагревании в атмосфере водорода электрическая проводимость пленок увеличивается, а при нагревании в оксиде углерода уменьшается. Получена противоположная тенденция в соотношении величин электрической проводимости и ширины запрещенной зоны исходной и окисленной поверхностей пленок. DOI: 10.21883/FTT.2017.01.43970.174
- А.В. Волков. Компьютерная оптика 24, 74 (2002)
- N. Ali, A. Hussain, R. Ahmed, M.K. Wang, C. Zhao, B.U. Haq, Y.Q. Fu. Renew. Sustain. Energy Rev. В 59, 726 (2016)
- I. Lokteva, N. Radichev, F. Witt, H. Borchert, J. Parisi. J. Phys. Chem. 114, 12 784 (2010)
- Л.И. Миркин. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов. Физматгиз. М. (1961). 863 с
- Е.А. Москатов. Основы электронной техники. Феникс, Ростов н/Д (2010). 378 с
- B. Maniscalco, A. Abbas, J.W. Bowers, P.M. Kaminski, K. Bass, G. West, J.M. Walls. Thin Solid Films 582, 115 (2015)
- В.В. Брус, М.Н. Солован, Э.В. Майструк, И.П. Козярский, П.Д. Марьянчук, К.С. Ульяницкий, J. Rappich. ФТТ 56, 1886 (2014)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.