Обнаружено, что в монокристаллах TlGa_0.99Fe_0.01Se₂ в постоянном электрическом поле протекают релаксационные электронные процессы, обусловленные аккумулированием в них значительных зарядов. Установлено, что релаксация тока при различных электрических полях и температурах, гистерезис ВАХ и накопление заряда в TlGa_0.99Fe_0.01Se₂ согласуются с эстафетным механизмом переноса заряда, образованного на глубоких энергетических уровнях в запрещенной зоне за счет инжекции носителей с контакта. В изученных монокристаллах определены физические параметры, характеризующие протекающие электронные процессы: эффективная подвижность заряда, переносимого с помощью глубоких центров, mu_f=5.6·10^-2 cm²/V·s при 300 K и ее энергия активации Delta E=0.54 eV; контактная емкость образца C_c=5·10^-8 F; область сосредоточения заряда в кристалле d_c=1.17·10^-6 cm; постоянная зарядки контакта tau=15 s; время пролета носителей заряда через образец t_t=1.8·10^-3 s; энергия активации ловушек, ответственных за релаксацию тока, Delta E_sigma=Delta E_Q=0.58 eV.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.