Вышедшие номера
Об оценках смещения G-пика рамановского спектра эпитаксиального графена
Давыдов С.Ю.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: Sergei_Davydov@mail.ru
Поступила в редакцию: 24 мая 2016 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2017 г.

В модели двух связанных осцилляторов рассмотрено смещение частоты рамановского пика G эпитаксиального графена вследствие взаимодействия с подложкой, описываемого эффективной силовой константой связи k. Показано, что относительный сдвиг G-пика Deltaomega(G)/omega(G) propto k/k0g, где k0g - силовая константа центрального взаимодействия однослойного графена. На основании предположения, что k propto P и k propto -T (где P и T - давление и температура) и что именно изменение k является доминирующим, дано качественное объяснение экспериментальных зависимостей Deltaomega(G) от P и T. Кратко обсуждается влияние подложки на уширение G-пика эпитаксиального графена. DOI: 10.21883/FTT.2017.03.44178.209