Вышедшие номера
Анизотропия длин свободного пробега фононов в монокристаллических пленках Ge, Si, алмаза при низких температурах
Федеральное агентство научных организаций (ФАНО), СПИН, 01201463330
УрО РАН, 15-17-2-17
Кулеев И.И.1
1Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
Email: kuleyevII@imp.uran.ru
Поступила в редакцию: 13 июля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2017 г.

Рассмотрены физические аспекты влияния анизотропии упругой энергии кристаллов на анизотропию длин свободного пробега фононов в монокристаллических пленках Ge, Si, алмаза при диффузном рассеянии фононов на границах. Показано, что длины свободного пробега фононов для достаточно широких пленок Ge, Si, алмаза с ориентациями 100 и 111 и длинами пленок, меньшими или равными их ширины, являются изотропными (не зависят от направления градиента температуры в плоскости пленки). А анизотропии длин пробега фононов зависит главным образом от ориентации плоскости пленки и определяется фокусировкой и дефокусировкой фононных мод. Для пленок Ge, Si, алмаза с ориентациями 100 и 111 и длинами пленок, гораздо больших их ширины, длины свободного пробега фононов становятся анизотропными. Работа выполнена в рамках государственного задания ФАНО России (тема "Спин" N 01201463330) при поддержке Программы УрО РАН (проект N 15-17-2-17) и Минобрнауки РФ (грант N 14.Z50.31.0025). DOI: 10.21883/FTT.2017.04.44267.294