Представлен комплексный анализ структурных, оптических и электрических свойств тонких пленок Cu₂SnS₃ p-типа электропроводности, полученных путем нанесения на подложки золь-гель-раствора на основе диметилсульфоксида методом центрифугирования с последующей термообработкой сформированных слоев. Проанализированы режимы формирования пленок с использованием низкотемпературной кратковременной обработки в открытой атмосфере и конечного отжига в низком вакууме (0.1 Pa). С помощью рентгеновского фазового анализа определены размеры кристаллитов D~42 nm в поликристаллических пленках. Подтвержден их состав на основе спектров комбинационного рассеяния и данных энергодисперсионного рентгеновского анализа. В результате исследований пропускания и поглощения света определена оптическая ширина запрещенной зоны для прямых разрешенных (E_g^d~1.25 eV) и прямых запрещенных (E_g^df~0.95 eV) оптических переходов. На основании анализа электрических свойств с использованием модели для поликристаллических материалов установлена пригодность полученных пленок с удельным сопротивлением rho~0.21 Omega·cm, концентрацией дырок p₀~1.75·10¹⁹ cm^-3 и эффективной подвижностью mu_p~1.67 cm²/(V·s) для изготовления солнечных элементов. DOI: 10.21883/FTT.2017.04.44283.354

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.