Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2004, выпуск 12 » Статья стр. 2135
<<<>>>
Простая модель расчета высоты барьеров Шоттки на контактах переходных металлов с политипами карбида кремния
Давыдов С.Ю.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Sergei.Davydov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 18 мая 2004 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2004 г.
PDF версия
В рамках предложенной нами ранее простой модели проведены самосогласованные расчеты высоты барьера Шоттки для контактов Ag, Au, Pd, Pt, Ti, Ru, Ni, Cr, Al, Mg и Mn с различными политипами SiC. Показано, что вполне удовлетворительное согласие результатов расчета с экспериментом получено для контактов переходных металлов в предположении об определяющей роли кремниевых вакансий с энергией Ed=EV+2.1 eV. Работа выполнена при частичной поддержке грантов Российского фонда фундаментальных исследований N 03-02-16054б, INTAS N 01-0603 и NATO SiP N 978011.
  1. Р.Г. Веренчикова, В.И. Санкин, Е.И. Радованова. ФТП 17, 10, 1757 (1983)
  2. J.R. Waldrop, R.W. Grant. Appl. Phys. Lett. 56, 6, 557 (1990)
  3. J.R. Waldrop, R.W. Grant, Y.C. Wang, R.F. Davis. J. Appl. Phys. 72, 10, 4757 (1992)
  4. J.R. Waldrop, R.W. Grant. Appl. Phys. Lett. 62, 21, 2685 (1993)
  5. J.R. Waldrop. J. Appl. Phys. 75, 9, 4548 (1994)
  6. M.J. Bazack. Phys. Stat. Sol. (b) 202, 3, 549 (1997)
  7. Н.Д. Сорокин, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков, М.А. Чернов. Кристаллография 28, 5, 910 (1983)
  8. А.А. Лебедев. ФТП 33, 7, 769 (1999)
  9. С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, О.В. Посредник, Ю.М. Таиров. ФТП 35, 12, 1437 (2001)
  10. R. Ludeke. Phys. Rev. B 40, 3, 1947 (1989)
  11. А.Н. Андреев, А.С. Трегубова, М.П. Щеглов, В.П. Растегаев, С.И. Дорожкин, В.Е. Челноков. ФТП 29, 10, 1828 (1995)
  12. Физические величины. Справочник / Под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. Энергоатомиздат, М. (1994)
  13. С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, О.В. Посредник, Ю.М. Таиров. ФТП 36, 6, 690 (2002)
  14. У. Харрисон. Электронная структура и свойства твердых тел. Мир, М. (1983). Т. 1
  15. Ч. Киттель. Введение в физику твердого тела. Наука, М. (1978)
  16. В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников. Справочник. Наук. думка, Киев (1987)
  17. F. Bechstedt, A. Fissel, J. Furtmuller, U. Grossner, A. Zywietz. J. Phys.: Cond. Matter 13, 15, 9027 (2001)
  18. H.-J. Im, B. Kaczer, J.P. Pelz, W.J. Choyke. Mater. Sci. Forum 264--268, 813 (1998)
  19. C.-M. Zetterling, F. Dahlquist, N. Lundberg, M. Ostling, K. Rottner, L. Ramberg. Solid-State Electron. 42, 9, 1757 (1998)
  20. V. Van Elsbergen, T.U. Kampen, W. Monch. J. Appl. Phys. 79, 1, 316 (1996)
  21. M.E. Samiji, E. van Wyk. Mat. Sci. Forum 353--356, 607 (2001)
  22. Г.Б. Дубровский, А.А. Лепнева. ФТТ 19, 5, 1252 (1977)
  23. R. Brako, D.M. Newns. Rep. Prog. Phys. 52, 3, 655 (1989)
  24. М. Ланно, Ж. Бургуэн. Точечные дефекты в полупроводниках. Теория. Мир, М. (1984).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme