Вышедшие номера
Распределение валентной электронной плотности в преимущественно ионных кристаллах с различающимися подрешетками Браве
Журавлев Ю.Н.1, Поплавной А.С.1
1Кемеровский государственный университет, Кемерово, Россия
Email: zhur@phys.kemsu.ru
Поступила в редакцию: 20 февраля 2002 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2002 г.

На основе теории функционала локальной плотности вычислены самосогласованные валентный электронные плотности кристаллов CaO с решеткой каменной соли, CaF2 с решеткой флюорита, K2O с решеткой антифлюорита и составляющих их подрешеток. Показано, что в случае кристаллов с различающимися подрешетками Браве анионная подрешетка представляет собой квалентно связанный каркас, в который помещается подрешетка металла. В качестве величины, характеризующей связь подрешеток, использована разностная плотность, полученная как результат вычитания из кристаллической электронной плотности плотностей отдельных подрешеток. Разностная плотность исследованных кристаллов оказывается на порядок меньше кристаллической и подрешеточных, что свидетельствует о слабой гибридизации подрешеток и преимущественно ионном характере связи между ними.