Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Сравнительный анализ деформационных полей в слоях метаморфных ступенчатых буферов различного дизайна
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 16-07-00187 А
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 16-29-03033 офи\_м
Алёшин А.Н.
1, Бугаев А.С.
1, Рубан О.А.
1, Табачкова Н.Ю.
2, Щетинин И.В.
2
1Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия 
2Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
2Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
Email: a.n.aleshin@mail.ru, bugayev@gmail.com, myx.05@mail.ru, ntabachkova@gmail.com, ingvvar@gmail.com
Поступила в редакцию: 9 марта 2017 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2017 г.
Методом построения карт обратного пространства, полученных с помощью трехосевой рентгеновской дифрактометрии, и на основе линейной теории упругости получены пространственные распределения остаточных упругих деформаций в слоях двух метамофных ступенчатых буферов различного дизайна, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на основе тройных растворов InxAl1-xAs на подложках (001) GaAs. Разница в дизайне буферов обеспечивала образование в каждой из гетероструктур бездислокационного слоя с различной толщиной, что явилось основным базисом данного исследования. Показано, что, несмотря на различный дизайн метаморфных ступенчатых буферов, характер деформационных полей в них один и тот же, а остаточные упругие деформации в финальных элементах обоих буферов с учетом поправки на эффект деформационного упрочнения подчиняются тому же феноменологическому закону, который описывает процесс структурной релаксации в однослойных гетероструктурах. Работа выполнена при частичной финансовой поддержке РФФИ (гранты N 16-07-00187 А и 16-29-03033 офи_м). DOI: 10.21883/FTT.2017.10.44965.068
- M. Imaizumi, M. Hirotani, T. Soga. Proc. of IEEE 42nd Photovoltaic Specialist Conf. New Orleans, USA (2015). 5 p
- R. Kumar, A. Bag, P. Mukhopadhyay, S. Das, D. Biswas. Appl. Surf. Sci. 357, 922 (2015)
- T. Kujofsa, J.E. Ayers. Int. J. High Speed Electron. Systems 24, 152009 (2015)
- A.M. Andrews, J.S. Speck, A.E. Romanov, M. Bobeth, W. Pompe. J. Appl. Phys. 91, 1933 (2002)
- Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, Р.М. Имамов, Г.В. Ганин, С.С. Пушкарев, П.П. Мальцев, О.М. Жигалина, А.С. Орехов, А.Л. Васильев, М.Ю. Пресняков, И.Н. Трунькин. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 5, 32 (2016)
- J. Tersoff. Appl. Phys. Lett. 62, 693 (1993)
- D.J. Dunstan. J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 8, 337 (1997)
- E. Ayers. Heteroepitaxy of semiconductors. Theory, growth, and characterization. Taylor and Francis Group, N.Y. (2007). 439 p
- D.J. Dunstan, P. Kidd, L.K. Howard, R.H. Dixon. Appl. Phys. Lett. 59, 3390 (1991)
- D.J. Dunstan, P. Kidd, P.F. Fewster, N.L. Andrew, R. Grey, P.R. David, L. Gonzalez, Y. Gonzalez, A. Sacedon, F. Gonzalez-Sanz. Appl. Phys. Lett. 65, 839 (1994)
- D.J. Dunstan, S. Young, R.H. Dixon. J. Appl. Phys. 70, 3039 (1991)
- A.V. Drigo, A. Audinli, A. Carnera, F. Genova, C. Rigo, C. Ferrari, P. Franzosi, G. Salviati. J. Appl. Phys. 66, 1975 (1989)
- K. Kamigaki, H. Sakashita. M. Nakayama, N. Sano, H. Terauchi. Appl. Phys. Lett. 49, 1071 (1986)
- P.J. Orders, B.F. Usher. Appl. Phys. Lett. 50, 980 (1987)
- P.M.J. Maree, J.C. Barbour, J.F. van der Veen, K.L. Kavanagh, C.W.T. Bulle-Lieuwma, M.P.A. Viegers. J. Appl. Phys. 62, 4413 (1987)
- Д.К. Боуэн, Б.К. Таннер. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография. Наука, СПб. (2002). 275 с
- В.А. Бушуев, Р.Н. Кютт, Ю.П. Хапачев. Физические принципы рентгенодифрактометрического определения параметров реальной структуры многослойных эпитаксиальных пленок. Кабардино-Балкарский гос. ун-т, Нальчик (1996). 181 с
- А.Н. Алёшин, А.С. Бугаев, М.А. Ермакова, О.А. Рубан. ФТП 49, 1065 (2015)
- J.-M. Chauveau, Y. Androussi, A. Lefebvre, J. Di Persio, Y. Cordier. J. Appl. Phys. 93, 4219 (2003)
- Ю.П. Хапачев, Ф.Н. Чуховский. Кристаллография 34, 776 (1989)
- С.С. Стрельченко, В.В. Лебедев. Соединения A3B5. Справочник. Металлургия, М. (1984). 144 c
- K.N. Tu, J.W. Mayer, L.C. Feldman. Electronic thin film science. For electrical engineers and materials scientists. Macmillan Publishing Company, N.Y. (1992). 428 p
- Y. Cordier, D. Ferre. J. Cryst. Growth 201/202, 263 (1999)
- D.J. Dunstan. Phil. Mag. A 73, 1323 (1996)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
