Вышедшие номера
Исследование валентного перехода в системе О2-Yb-Si(111) с помощью метода фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением
Кузьмин М.В.1, Митцев М.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: m.kuzmin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 30 марта 2017 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2017 г.

С помощью метода фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением проведены исследования структур Yb-Si(111) и O2-Yb-Si(111) и получены данные о распределение двух- и трехвалентных ионов в нанопленках иттербия в случае, когда адсорбированный слой молекул на их поверхности еще не полностью сформирован и валентный переход Yb2+->Yb3+ не завершен. Показано, что распределение ионов Yb2+ и Yb3+ вглубь нанопленок близко к изотропному и что его протяженность составляет 9 или более монослоев. Полученные результаты свидетельствуют о том, что в формировании 5d-зоны иттербия, стимулированном адсорбированными молекулами, участвуют все атомы нанопленки, подтверждая предположения, сделанные в более ранних публикациях. DOI: 10.21883/FTT.2017.10.44976.106