Вышедшие номера
Управление циркулярной поляризацией электролюминесценции в спиновых светоизлучающих диодах на основе гетероструктур InGaAs/GaAs/delta<Mn>
Минобрнауки России, проектная часть, N 8.1751.2017/ПЧ
РФФИ, инициативный проект, 15-02-07824\_а
РФФИ, инициативный проект, 16-07-01102\_а
Совет по грантам Президента Российской Федерации , МК-8221.2016.2
Малышева Е.И. 1, Дорохин М.В. 1, Дёмина П.Б.1, Здоровейщев А.В. 1, Рыков А.В.1, Ведь М.В.1, Данилов Ю.А.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: malysheva@phys.unn.ru
Выставление онлайн: 20 октября 2017 г.

Проведено исследование циркулярно-поляризованной люминесценции светоизлучающих структур InGaAs/GaAs с дельта-легированным слоем Mn в GaAs барьере. Выполнено варьирование параметров структур: однородное и дельта-легирование акцепторной примесью, удаление донорного легирования из технологического процесса. Получено, что величина и знак степени циркулярной поляризации люминесценции существенно зависят от выбранного технологического режима. Одномерное моделирование волновых функций структур выявило хорошее согласие между параметрами циркулярно-поляризованной люминесценции и пространственным распределением волновых функций тяжелых дырок относительно дельта-слоя Mn. Работа выполнена в рамках реализации государственного задания. Проект N 8.1751.2017/ПЧ Минобрнауки России, при поддержке РФФИ (гранты N 15-02-07824_а, 16-07-01102_а), гранта (МК-8221.2016.2) Президента Российской Федерации. DOI: 10.21883/FTT.2017.11.45051.18k