Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2018, выпуск 1 » Статья стр. 187
<<<>>>
Атомная и электронная структура реконструкций поверхности (111) в кристаллах ZnSe и CdSe
DOI: 10.21883/FTT.2018.01.45308.136
Переводная версия: 10.1134/S1063783418010031
Бекенев В.Л.1, Зубкова С.М.1
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Email: bekenev@materials.kiev.ua
Поступила в редакцию: 20 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2017 г.
PDF версия
Впервые проведены первопринципные расчеты атомной и электронной структуры четырех вариантов полярных поверхностей ZnSe и CdSe (111)-(2x2), заканчивающихся катионом: идеальной, релаксированной, реконструированной и релаксированной после реконструкции. В приближении слоистой сверхрешетки поверхность моделировали пленкой толщиной 12 атомных слоев и вакуумным промежутком ~16 Angstrem. Для замыкания оборванных связей Se на противоположной стороне пленки добавлено четыре фиктивных атома водорода с зарядом 0.5 электрона каждый. Ab initio pасчеты проводились с использованием программы QUANTUM ESPRESSO, основанной на теории функционала плотности. Показано, что релаксация приводит к расщеплению атомных слоев. Для четырех вариантов поверхности рассчитаны и проанализированы зонные структуры, а также полные и послойные плотности электронных состояний. Все расчеты были выполнены на вычислительном кластере Института проблем материаловедения НАН Украины. DOI: 10.21883/FTT.2018.01.45308.136
  1. J.P. LaFemina. Surf. Sci. Rep. 16, 133 (1992)
  2. G.P. Srivastava. Theoretical modeling of semiconductor surfaces. World Scientific, Singapore, New Jersey, London, Hong Kong (1999). P. 201--205
  3. J.A. Venables. Introduction to Surface and Thin Film Processes. Cambridge university press, Arizona State University and University of Sussex (2003). 392 p
  4. A. Grob. Theoretical Surface Science. Springer, Berlin, Heidelberg (2009). 342 p
  5. K. Hermann. Crystallography and Surface Structure. An Introduction for Surface Scientists and Nanoscientists. Wiley--VCH Verlag \& Co, Weinheim (2011). 294 p
  6. II-VI Semiconductor Compounds / Ed. M. Jain. World Scientific, Singapore (1993). 604 p
  7. R.W. Birkmire, E. Eser. Ann. Rev. Mater. Sci. 27, 625 (1997)
  8. M.A. Haase, J. Qiu, J.M. DePuydt, H. Cheng. Appl. Phys. Lett. 59, 1272 (1991)
  9. N. Nakayama, S. Itoh, T. Ohata, K. Nakano, H. Okuyama, M. Ozawa, A. Ishibashi, M. Ikeda, Y. Mori. Electron. Lett. 29, 2194 (1993)
  10. A. Salokatve, H. Jeon, J. Ding, M. Hovinen, A.V. Nurmikko, D.C. Grillo, Li He, J. Han, Y. Fan, M. Ringle, R.L. Gunshor, G.C. Hua, N. Otsuka. Electron. Lett. 29, 2192 (1993)
  11. D.J. Chadi. J. Vac. Sci. Technol. A 4, 944 (1986)
  12. L. Zhu, K.L. Yao, Z.L. Liu, Y.B. Li. J. Phys.: Condens. Matter 21, 095001 (2009)
  13. L. Plucinski. Bulk and Surface Electronic Structure of Gallium Nitride and Zinc Selenide. Dissertation, Hamburg (2002). 126 p
  14. W. Weigand, A. Muller, L. Kilian, O. Bunk, T. Schallenberg, P. Bach, L. Molenkamp, W. Faschinger, R.L. Johnson, C. Kumpf, E. Umbach. Hasylab Annual Report 2002. Pt 1. HASYLAB, Hamburg (2003)
  15. D. Olguin, R. Baquero. Rev. Mexic. Fis. 49, 1 (2003)
  16. L. Plucinski, R.L. Johnson, A. Fleszar, W. Hanke, W. Weigand, C. Kumpf, C. Heske, E. Umbach, T. Schallenberg, L.W. Molenkamp. Phys. Rev. B 70, 125308 (2004)
  17. L. Plucinski, W. Weigand, C. Kumpf, C. Heske, R. Kosuch, T. Schallenberg, L.W. Molenkamp, E. Umbach, R.L. Johnson. Surf. Sci. 585, 95 (2005)
  18. Y. Yu, J. Zhou, H. Han, C. Zhang, T. Cai, C. Song, T. Gao. J. All. Comp. 471, 492 (2009)
  19. А. Rubio-Ponce, D. Olguin. J. Physics: Conf. Ser. 574, 012118 (2015)
  20. J. Zhou, B.G. Sumpter, P.R C. Kent, J. Huang. Appl. Mater. Interfac. 7, 1458 (2015)
  21. В.Л. Бекенев, С.М. Зубкова. ФТТ 57, 1830 (2015)
  22. В.Л. Бекенев, С.М. Зубкова. ФТП 51, 26 (2017)
  23. P. Giannozzi, S. Baroni, N. Bonini, M. Calandra, R. Car, C. Cavazzoni, D. Ceresoli, G.L. Chiarotti, M. Cococcioni, I. Dabo, A.D. Corso, S. Fabris, G. Fratesi, S. de Gironcoli, R. Gebauer, U. Gerstmann, C. Gougoussis, A. Kokalj, M. Lazzeri, L. Martin-Samos, N. Marzari, F. Mauri, R. Mazzarello, S. Paolini, A. Pasquarello, L. Paulatto, C. Sbraccia, S. Scandolo, G. Sclauzero, A.P. Seitsonen, A. Smogunov, P. Umari, R.M. Wentzcovitch. J. Phys.: Condens. Matter. 21, 395502 (2009)
  24. K. Shiraishi. J. Phys. Soc. Jpn. 59, 3455 (1990)
  25. Landolt-Bornstein / Ed. O. Madelung. New Series III. 22. Springer, Berlin (1987)
  26. J.P. Perdew. Int. J. Quantum Chem. 28, S19, 497 (1985)
  27. J.L. Martins. In: Density Functional Theory / Ed. P. Geerlings, F. de Proft, W. Langenaeker. VUB University Press, Brussels (1999). P. 217--226
  28. S. de Lazaro, E. Longo, J.R. Sambrano, A. Beltran. Surf. Sci. 552, 149 (2004)
  29. S. Piskunov, E. Heifets, R.I. Eglitis, G. Borstel. Comp. Mater. Sci. 29, 165 (2004)
  30. J. Muscat, F. Wander, N.M. Harrison. Chem. Phys. Lett. 342, 397 (2001)
  31. E. Heifets, R.I. Eglitis, E.A. Kotomin, J. Maier, G. Borstel. Surf. Sci. 513, 211 (2002).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme