Вышедшие номера
Дисперсия и затухание волн Рэлея на статистически ше роховатой, свободной поверхности гексагонального кристалла
Косачёв В.В.1, Гандурин Ю.Н.1
1Московский государственный инженерно-физический институт (технический университет), Москва, Россия
Email: kosachev@pc1k32.mephi.ru
Поступила в редакцию: 30 октября 2001 г.
Выставление онлайн: 20 января 2003 г.

Для Z-среза гексагонального кристалла с помощью модифицированного метода среднего поля в рамках теории возмущений аналитически исследованы дисперсия и затухание поверхностных акустических волн Рэлея на свободной статистически шероховатой поверхности. В области частот, достижимых по теории возмущений, выполнены численные расчеты с использованием выражений для действительной и мнимой частей комплексного сдвига частоты волн Рэлея, вызванного слабой шероховатостью поверхности. Показано, что для Z-среза гексагонального кристалла характер дисперсии и затухания рэлеевских волн качественно совпадает со случаем изотропной среды, отличаясь в количественном отношении. В длинноволновом пределе lambda>> a, где a - поперечная корреляционная длина шероховатости, в явном аналитическом виде получены выражения для относительного изменения фазовой скорости и обратной длины затухания волн Рэлея, с использованием которых также были выполнены численные расчеты.