Вышедшие номера
Анализ механизмов переноса заряда в монокристаллах Ca4Ga2S7:Eu3+, определяющих форму вольт-амперных характеристик
Тагиев Б.Г.1, Касумов У.Ф.1, Мусаева Н.Н.1, Джаббаров Р.Б.1
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Email: ulvi@azintex.com
Поступила в редакцию: 27 июня 2002 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2003 г.

Впервые представлены вольт-амперные характеристики монокристалла Ca4Ga2S7:Eu3+ и предпринята попытка теоретического обоснования процессов, обусловливающих их форму. Показано, что монокристаллы Ca4Ga2S7:Eu3+ являются высокоомными полупроводниками с удельным сопротивлением ~109 Omega·cm и относительной диэлектрической проницаемостью 10.55. Электрические свойства данных материалов определяют ловушки с энергиями активации 0.13 и 0.19 eV и концентрацией 9.5·1014-2.7·1015 cm-3. В слабых электрических полях имеет место монополярная инжекция носителей тока. В полях, превышающих 4·103 V / cm, происходит термополевая ионизация этих ловушек согласно теории Пула-Френкеля. При низких температурах в сильных полях (160 K и 5·104 V / cm) прохождение тока, по всей видимости, обусловлено прыжковой проводимостью носителей заряда по уровням в запрещенной зоне вблизи уровня Ферми.