Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Анализ механизмов переноса заряда в монокристаллах Ca4Ga2S7:Eu3+, определяющих форму вольт-амперных характеристик
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан 
Email: ulvi@azintex.com
Поступила в редакцию: 27 июня 2002 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2003 г.
Впервые представлены вольт-амперные характеристики монокристалла Ca4Ga2S7:Eu3+ и предпринята попытка теоретического обоснования процессов, обусловливающих их форму. Показано, что монокристаллы Ca4Ga2S7:Eu3+ являются высокоомными полупроводниками с удельным сопротивлением ~109 Omega·cm и относительной диэлектрической проницаемостью 10.55. Электрические свойства данных материалов определяют ловушки с энергиями активации 0.13 и 0.19 eV и концентрацией 9.5·1014-2.7·1015 cm-3. В слабых электрических полях имеет место монополярная инжекция носителей тока. В полях, превышающих 4·103 V / cm, происходит термополевая ионизация этих ловушек согласно теории Пула-Френкеля. При низких температурах в сильных полях (160 K и 5·104 V / cm) прохождение тока, по всей видимости, обусловлено прыжковой проводимостью носителей заряда по уровням в запрещенной зоне вблизи уровня Ферми.
- B.G. Tagiev, R.B. Jabbarov, U.F. Kasumov, A.N. Georgobiani, N.N. Musaeva. New Technologies for 21st Century 2, 58 (1999)
- A.N. Georgobiani, B.G. Tagiev, O.B. Tagiev, R.B. Jabbarov, N.N. Musaeva, U.F. Kasumov. Jpn. J. Appl. Phys. 39--1, 434 (2000)
- Б.Г. Тагиев. У.Ф. Касумов, Р.Б. Джаббаров, Н.Н. Мусаева, О.Б. Тагиев. Неорган. материалы 36, 1, 7 (2000)
- Б.Г. Тагиев, У.Ф. Касумов, Р.Б. Джаббаров, Н.Н. Мусаева, О.Б. Тагиев. Неорган. материалы 37, 12, 1430 (2001)
- Б.Г. Тагиев, А.Н. Георгобиани, О.Б. Тагиев, Р.Б. Джаббаров, У.Ф. Касумов, Э.Ф. Гамбаров. Неорган. Материалы, в печати
- Б.Г. Тагиев, У.Ф. Касумов, Р.Б. Джаббаров, Н.Н. Мусаева, С.А. Абушов. ФТП 34, 1170 (2000)
- А.Н. Зюганов, С.В. Свечников. Инжекционно-контактные явления в полупроводниках. Наук. думка, Киев (1981). 256 с
- А.Н. Зюганов, С.В. Свечников, Ю.Г. Письменный. В сб.: Полупроводниковая техника и микроэлектроника. Наук. думка, Киев. Вып. 11. С. 96. (1973)
- А.Н. Зюганов, С.В. Свечников, Е.П. Шульга. УФЖ 23, 291 (1978)
- А.Н. Зюганов, С.В. Свечников, А.Ю. Тхорик, Е.П. Шульга. УФЖ 21, 370 (1977)
- А.Н. Зюганов, С.В. Свечников, Е.П. Шульга. В сб.: Полупроводниковая техника и микроэлектроника. Наук. думка, Киев, (1979). Вып. 29. С. 48
- А.Н. Зюганов, С.В. Свечников. В сб.: Микроэлектроника (1981). N 10. С. 99
- Ю.Г. Гусев, А.М. Иванов, А.Н. Зюганов, С.В. Свечников, П.С. Смертенко. В сб.: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. Наук. думка, Киев, (1988). Вып. 14. С. 26
- А.Н. Зюганов. УФЖ 15, 45 (1974)
- O.B. Tagiev, G.H. Kasimova. Phys. Stat. Sol. (a) 128, 167 (1981)
- Ya.I. Frenkel. Phys. Rev. 54, 657 (1938)
- P.N. Murgatroud. J. Phys. 3, 2, 151 (1970)
- R.M. Hill. Thin Solid Films 8, R21 (1971)
- А.Н. Георгобиани, В.И. Демин, Е.С. Логазинская. В сб.: Труды ФИАН им. П.Н. Лебедева. (1987). Т. 182. С. 69
- М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах. Мир, М. (1973). 416 с
- Б.И. Шкловский. ФТП 6, 2335 (1972)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
