Вышедшие номера
Динамика развития канала переключения в планарных структурах на основе диоксида ванадия
Переводная версия: 10.1134/S1063783418030046
Российский научный фонд, 16 19 00135
Беляев М.А. 1, Борисков П.П. 1, Величко А.А. 1, Пергамент А.Л. 1, Путролайнен В.В. 1, Рябоконь Д.В. 2,3, Стефанович Г.Б. 1, Сысун В.И. 1, Ханин С.Д. 2,3
1Петрозаводский государственный университет, Петрозаводск, Россия
2Военная академия связи им. маршала СССР С.М. Буденного, Санкт-Петербург, Россия
3Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
Email: biomax89@yandex.ru, boriskov@psu.karelia.ru, velichko@petrsu.ru, aperg@petrsu.ru, vputr@petrsu.ru, ryabokon90@gmail.com, gstef@yandex.ru, vsysun@petrsu.ru, sinklit@mail.ru
Выставление онлайн: 17 февраля 2018 г.

Представлены результаты экспериментального исследования и численного моделирования динамики развития канала переключения в планарных структурах на основе диоксида ванадия. Полученные результаты по изменению со временем температуры в канале и протекающего при импульсном нагружении тока и временам перехода из высокоомного состояния в низкоомное и обратно анализируются на предмет определения механизма переключения и прогнозирования функциональных характеристик переключательных оксиднованадиевых структур как перспективных для создания релаксационных генераторов - прототипов нейроосцилляторов. Показано, что переключение связано с фазовым переходом "металл-полупроводник" в диоксиде ванадия, стимулируемым выделением джоулева тепла. Работа выполнена при поддержке Российского научного фонда, грант N 16 19 00135. DOI: 10.21883/FTT.2018.03.45542.05D