Гудков С.И.1, Бакланова К.Д.1, Каменщиков М.В.1, Солнышкин А.В.1,2, Белов А.Н.2
1Тверской государственный университет, Тверь, Россия
2Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники", Москва, Зеленоград, Россия
Email: sergej-gudkov-i@yandex.ru
Выставление онлайн: 20 марта 2018 г.
Методами вольт-фарадных и вольт-амперных характеристик исследованы тонкопленочные структуры на основе LiNbO3, сформированные различными способами: методом лазерной абляции и методом магнетронного распыления. По вольт-фарадным характеристикам определена величина потенциального барьера на интерфейсе Si-LiNbO3 для обоих типов пленок. Анализ вольт-амперных характеристик выявил наличие в исследуемых структурах нескольких механизмов проводимости. В пленке LiNbO3, изготовленной методом лазерной абляции, основной вклад в электропроводность дают эффект Пула-Френкеля и токи, ограниченные пространственным зарядом. В пленочной гетероструктуре, изготовленной методом магнетронного распыления, основной механизм - токи, ограниченные пространственным зарядом. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского научного фонда (грант N 15-19-00138). DOI: 10.21883/FTT.2018.04.45685.09D
- Ю.С. Кузьминов. Электрооптический и нелинейно-оптический кристалл ниобата лития. Наука, М. (1987). 264 с
- Н.В. Сидоров, Т.Р. Волк, Б.Н. Маврин, В.Т. Калинников. Ниобат лития: дефекты, фоторефракция, колебательный спектр, поляритоны. Наука, М. (2003). 255 с
- Piezoelectric MEMS Resonators / ed. by Harmeet Bhugra and Gianluca Piazza. Springer International Publishing, Switzerland. (2017). 424 p
- L. Cai, Y. Wang, H. Hu. Optics Lett. 40, 3013 (2015)
- L. Cai, S. Li, H. Han, H. Hu. Optics Express 23, 1240 (2015)
- R. Bhatt, I. Bhaumik, S. Ganesamoorthy, R. Bright, M. Soharab, A. Kumar Karnal, P. Kumar Gupta. Crystals 7, 23 (2017)
- Д.А. Киселев, Р.Н. Жуков, А.С. Быков, М.И. Воронова, К.Д. Щербачев, М.Д. Малинкович, Ю.Н. Пархоменко. Неорган. материалы 50, 453 (2014)
- С.В. Евдокимов, А.В. Яценко. ФТТ 48, 317 (2006)
- Э.Х. Родерик. Контакты маталл-полупроводник. Радио и связь, М. (1982). 208 с
- B.H. Park, S.J. Hyun, C.R. Moon, Byung-Doo Choe, J. Lee, C.Y. Kim, W. Jo, T.W. Noh. J. Appl. Phys. 84, 4428 (1998)
- M. Maleto, E. Pevtsov, A. Sigov, A. Svotina. Integrated Ferroelectrics: J. 43, 65 (2002)
- К.Л. Чопра. Электрические явления в тонких пленках / Пер. с англ. А.Ф. Волкова, Е.И. Гиваргизова, П.И. Перова, В.И. Покалякина, под ред. проф. Т.Д. Шермергора. Мир, М. (1972). 424 с
- В.И. Фистуль. Введение в физику полупроводников. Высш. школа, М. (1984). 352 c
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников. Наука, М. (1990). 672 c.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
