Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2018, выпуск 5 » Статья стр. 888
<<<>>>
Тонкопленочные гетероструктуры InxAlyGa1-x-yAszSb1-z/GaSb, выращенные в поле температурного градиента
DOI: 10.21883/FTT.2018.05.45782.252
Переводная версия: 10.1134/S1063783418050177
Лунина М.Л.1, Лунин Л.С.1, Калинчук В.В.1, Казакова А.Е.1
1Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
Email: lunin_ls@mail.ru
Поступила в редакцию: 29 августа 2017 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2018 г.
PDF версия
Обсуждаются результаты выращивания тонкопленочных гетероструктур InxAlyGa1-x-yAszSb1-z/GaSb из жидкой фазы в поле температурного градиента. Исследованы кинетика роста, состав, структурное совершенство и люминесцентные свойства тонких пленок InAlGaAsSb выращенных на подложке GaSb. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского научного фонда, грант N 14-19-01676.
  1. P.V. Seredin, A.V. Glotov, A.S. Lenshin, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, T. Prutskij, H. Leiste, M. Rinke. Semiconductors 48, 21 (2014)
  2. H.Z. Song, M. Hadi, Y. Zheng, B. Shen, L. Zhang, Z. Ren, R. Gao, Z.M. Wang. Nanoscale Res. Lett. 12, 128 1 (2017)
  3. S.E. Gulebaglan, E.K. Dogan, M. Aycibin, M. N. Secuk, B. Erdinc, H. Akkus. Cent. Eur. J. Phys. 11, 1680 (2013)
  4. A.G. Gladyshev, I.I. Novikov, L.Ya. Karachinsky, D.V. Denisov, S.A. Blokhin, A.A. Blokhin, A.M. Nadtochiy, A.S. Kurochkin, A.Yu. Egorov. Semiconductors 50, 1186 (2016)
  5. D.A. Vinokurov, V.A. Kapitonov, A.V. Lyutetskiy, D.N. Nikolaev, N.A. Pikhtin, S.O. Slipchenko, A.L. Stankevich, V.V. Shamakhov, L.S. Vavilova, I.S. Tarasov. Semiconductors 46, 1321 (2012)
  6. V.V. Shamakhov, D.N. Nikolaev, A.V. Lyutetskiy, K.V. Bakhvalov, M.G. Rastegaeva, S.O. Slipchenko, N.A. Pikhtin, I.S. Tarasov. Semiconductors 48, 373 (2014)
  7. F.Schattiger, D. Bauer, J. Demsar, T. Dekorsy, J. Kleinbauer, D.H. Sutter, J. Puustinen, M. Guina. Appl. Phys. B 106, 605 (2012)
  8. V.D. Rumyantsev, A.V. Chekalin, D.A. Malevskiy, A.N. Panchak, N.A. Sadchikov, V.M. Andreev, N.Y. Davidyuk, A.L. Luque. IEEE J. Photovoltaics 5, 1715 (2015)
  9. A. Luque, I. Ramiro, P. Garcia-Linares, E. Antolin, A. Marti, A. Panchak, A. Vlasov, V. Andreev, A. Mellor. IEEE J. Photovoltaics 5, 1074 (2015)
  10. M.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, V.V. Evstropov, V.M. Lantratov, S.A. Mintairov, M.Z. Shvarts, V.M. Andreev, A. Luque. IEEE J. Photovoltaics 5, 1229 (2015)
  11. R.V. Levin, A.E. Marichev, M.Z. Shvarts, E.P. Marukhina, V.P. Khvostikov, B.V. Pushnyi, V.M. Andreev, M.N. Mizerov. Semiconductors 49, 700 (2015)
  12. М.А. Минтаиров, В.В. Евстропов, С.А. Минтаиров, Н.Х. Тимошина, М.З. Шварц, Н.А. Калюжный. ФТП 49, 682 (2015)
  13. V. Khvostikov, N. Kalyuzhnyy, S. Mintairov, N. Potapovich, M. Shvarts, S. Sorokina, A. Luque, V. Andreev. AIP Conf. Proc. 1616, 21 (2014)
  14. N.A. Kalyuzhnyy, V.V. Evstropov, V.M. Lantratov, S.A. Mintairov, M.A. Mintairov, A.S. Gudovskikh, A. Luque, V.M. Andreev. Int. J. Photoenergy 2014, 836284 1 (2014)
  15. В.В. Кузнецов, Л.С. Лунин, В.И. Ратушный. Гетероструктуры на основе четверных и пятерных твердых растворов соединений AIIIBV. СКНЦВШ, Р/н/Д (2003). 375 с
  16. Л.С. Лунин, А.В. Благин, Д.Л. Алфимова. Физика градиентной эпитаксии многокомпонентных полупроводниковых гетероструктур. СКНЦВШ, Р/н/Д (2008). 212 с
  17. В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин, Т.А. Аскарян. Изв. вузов. Сер. физ. 7, 41 (1989)
  18. В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин, Т.А. Аскарян. Изв. вузов. Сер. физ. 7, 59 (1989)
  19. В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин, Т.А. Аскарян. Неорган. материалы 25, 540 (1989)
  20. В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин, Т.А. Аскарян. Неорган. материалы 25, 1778 (1989)
  21. В.В. Кузнецов, П.П. Москвин, В.С. Сорокин. Неравновесные явления при жидкостной гетероэпитаксии полупроводниковых твердых растворов. Металлургия, М. (1991). 176 с
  22. В.В. Кузнецов, Е.А. Когновицкая, М.Л. Лунина, Э.Р. Рубцов. Журн. физ. химии 85, 2210 (2011)
  23. Б.М. Синельников, М.Л. Лунина. Неорган. материалы 48, 995 (2012)
  24. В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин. Пятикомпонентные твердые растворы соединений (новые материалы оптоэлектроники). СКНЦ ВШ, Р/н/Д (1992). 193 с
  25. Я. Аарик, Я. Бергманн, Л. Долгинов, Н. Лыук, М. Мильвидский, Я. Фридентал, К. Хансен, Т. Югова. Изв. АН ЭССР. Физ.-мат. 33, 1 (1984)
  26. В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин, В.П. Попов. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов. Металлургия, М. (1987). 232 с
  27. Л.С. Лунин, И.А. Сысоев. Техника градиентной эпитаксии полупроводниковых гетероструктур электронной техники. СКНЦ ВШ, Р/н/Д (2008). 160 c
  28. Д.Л. Алфимова, Л.С. Лунин, М.Л. Лунина. Поверхность 6, 103 (2014)
  29. А.В. Благин, Д.П. Валюхов, Л.С. Лунин. Неорган. материалы 44, 903 (2008)
  30. Л.С. Лунин, В.В. Благин, А.А. Бараник. Неорган. материалы 38, 1423 (2002)
  31. В.И. Буддо, В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин, И.Е. Марончук. Микроэлектроника АН СССР 7, 70 (1978).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme