Вышедшие номера
Незаполненные электронные состояния в спектрах полного тока и спектрах прохождения низкоэнергетических электронов дисульфида молибдена
Панченко О.Ф.1
1Донецкий физико-технический институт Национальной академии наук Украины, Донецк, Украина
Email: panch@mail.fti.ac.donetsk.ua
Поступила в редакцию: 17 июля 2002 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2003 г.

Дана теоретическая интерпретация тонкой структуры спектров полного тока и спектров прохождения низкоэнергетических электронов по нормали к поверхности (0001) монокристалла MoS2. В расчетах учитывались энергетическая зависимость уширения зонных уровней энергии и электронное строение конечных незаполненных высоколежащих состояний (выше уровня вакуума Evac), в которые попадают электроны при входе в твердое тело. Проведено сравнение с существующими экспериментальными и теоретическими данными. Показана преобладающая роль эффектов объемной зонной структуры (экстремумы в спектрах отражают энергетическое положение критических точек типа краев (границ) энергетических зон или точек экстремальной кривизны дисперсионных ветвей ) в формировании спектров. Развиваемый метод позволяет отделить объемные эффекты в спектрах от поверхностных, что может успешно применяться для контроля состояния поверхности в процессе обработки. Настоящая работа выполнена при поддержке Государственного фонда фундаментальных исследований Украины.