Электронная энергетическая структура политипов нитрида бора типа графита (h-BN), вюрцита (w-BN) и сфалерита (c-BN) рассчитана методом локального когерентного потенциала с использованием кластерной версии MT-приближения в рамках теории многократного рассеяния. Проведено сравнение особенностей электронной структуры 2H-, 4H- и 3C-политипов с рентгеновскими фотоэлектронными, эмиссионными и K-спектрами поглощения бора и азота и дана интерпретация их особенностей. Показано, что на кривой полной плотности состояний (TDOS) (в данных политипах нитрида бора) присутствует коротковолновый пик, который можно связать с формированием "внешней" коллективизированной полосы, обусловленной состояниями электронов 2p-симметрии атомов бора и азота. Отмечено, что уменьшение ширины запрещенной полосы при переходе от вюрцита и сфалерита к гексагональному нитриду бора связано с изменением координационного числа компонентов, которое приводит к изменению энергетического положения дна зоны проводимости кристалла.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.