Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние висмута на структурное совершенство и люминесцентные свойства тонкопленочных упругонапряженных гетероструктур AlxInyGa1-x-yBizSb1-z/GaSb
Переводная версия: 10.1134/S1063783418070028 
1Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия 
2Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М.И. Платова, Новочеркасск, Россия
2Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М.И. Платова, Новочеркасск, Россия
Email: lunin_ls@mail.ru
Поступила в редакцию: 14 июня 2017 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2018 г.
Исследовано влияние висмута на структурное совершенство и люминесцентные свойства гетероструктур AlxInyGa1-x-yBizSb1-z/GaSb. Выявлены оптимальные параметры процесса зонной перекристаллизации градиентом температур, при которых эпитаксиальные слои AlInGaBiSb имели минимальную шероховатость и высокое структурное совершенство: градиент температуры 1≤ G≤30 K/cm, толщина жидкой зоны 60≤ l≤100 mum, температурный интервал 773≤ T≤ 873 K и концентрация висмута 0.3-0.4 mol. frac. Работа выполнена в рамках госзадания грант N 16.4757.2017/8.9, а также при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований по гранту 17-08-01206 а.
- P.V. Seredin, A.V. Glotov, A.S. Lenshin, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, T. Prutskij, H. Leiste, M. Rinke. Semiconductors 48, 21 (2014)
- H.Z. Song, M. Hadi, Y. Zheng, B. Shen, L. Zhang, Z. Ren, R. Gao, Z.M. Wang. Nanoscale Res. Lett. 12, 128 (2017)
- S.E. Gulebaglan, E.K. Dogan, M. Aycibin, M.N. Secuk, B. Erdinc, H. Akkus. Cent. Eur. J. Phys. 11, 1680 (2013)
- A.G. Gladyshev, I.I. Novikov, L.Ya. Karachinsky, D.V. Denisov, S.A. Blokhin, A.A. Blokhin, A.M. Nadtochiy, A.S. Kurochkin, A.Yu. Egorov. Semiconductors 50, 1186 (2016)
- D.A. Vinokurov, V.A. Kapitonov, A.V. Lyutetskiy, D.N. Nikolaev, N.A. Pikhtin, S.O. Slipchenko, A.L. Stankevich, V.V. Shamakhov, L.S. Vavilova, I.S. Tarasov. Semiconductors 46, 1321 (2012)
- V.V. Shamakhov, D.N. Nikolaev, A.V. Lyutetskiy, K.V. Bakhvalov, M.G. Rastegaeva, S.O. Slipchenko, N.A. Pikhtin, I.S. Tarasov. Semiconductors 48, 373 (2014)
- F. Schattiger, D. Bauer, J. Demsar, T. Dekorsy, J. Kleinbauer, D.H. Sutter, J. Puustinen, M. Guina. Appl. Phys. B 106, 605 (2012)
- V.D. Rumyantsev, A.V. Chekalin, D.A. Malevskiy, A.N. Panchak, N.A. Sadchikov, V.M. Andreev, N.Y. Davidyuk, A.L. Luque. IEEE J. Photovoltaics 5, 1715 (2015)
- A. Luque, I. Ramiro, P. Garcia-Linares, E. Antolin, A. Marti, A. Panchak, A. Vlasov, V. Andreev, A. Mellor. IEEE J. Photovoltaics 5, 1074 (2015)
- M.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, V.V. Evstropov, V.M. Lantratov, S.A. Mintairov, M.Z. Shvarts, V.M. Andreev, A. Luque. IEEE J. Photovoltaics 5, 1229 (2015)
- R.V. Levin, A.E. Marichev, M.Z. Shvarts, E.P. Marukhina, V.P. Khvostikov, B.V. Pushnyi, V.M. Andreev, M.N. Mizerov. Semiconductors 49, 700 (2015)
- M.A. Mintairov, V.V. Evstropov, S.A. Mintairov, M.Z. Shvarts, N.K. Timoshina, N.A. Kalyuzhnyy. Semiconductors 49, 668 (2015)
- V. Khvostikov, N. Kalyuzhnyy, S. Mintairov, N. Potapovich, M. Shvarts, S. Sorokina, A. Luque, V. Andreev. AIP Conf. Proc. 1616, 21 (2014)
- N.A. Kalyuzhnyy, V.V. Evstropov, V.M. Lantratov, S.A. Mintairov, M.A. Mintairov, A.S. Gudovskikh, A. Luque, V.M. Andreev. Int. J. Photoenergy 2014, 836284 (2014)
- В.В. Кузнецов, Л.С. Лунин, В.И. Ратушный. Гетероструктуры на основе четверных и пятерных твердых растворов соединений АIIIBV. СКНЦ ВШ. Ростов н/Д (2003). 375 с
- В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин, А.В. Благин. Градиентная жидкофазная кристаллизация многокомпонентных материалов. СКНЦ ВШ. Ростов н/Д (2003). 374 с
- L. Wang, L. Zhang, L. Yue, D. Liang, X. Chen, Y. Li, P. Lu, J. Shao, S. Wang. Shumin. Cryst. 7, 63 (2017)
- G.B. Stringfellow. J. Cryst. Growth 468, 11 (2017)
- P. Wang, W. Pan, X. Wu, J. Liu, C. Cao, S. Wang, Q. Gong. Nanoscale Res. Lett. 11, 280 (2016)
- W. Pan, L. Zhang, L. Zhu, Y. Song, Y. Li, C. Wang, P. Wang, X. Wu, F. Zhang, J. Shao, S. Wang. Semicond. Sci. Technology 32, 015007 (2017)
- D.F. Reyes, F. Bastiman, C.J. Hunter, D.L. Sales, A.M. Sanchez, J.P.R. David, D. Gonzalez. Nanoscale Res. Lett. 9, 23 (2014)
- D.L. Alfimova, L.S. Lunin, M.L. Lunina. Inorganic Mater. 50, 113 (2014)
- В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин, Т.А. Аскарян. Неорган. материалы 25, 1778 (1989)
- B.M. Sinel'Nikov, M.L. Lunina. Inorganic Mater. 48, 877 (2012)
- A.V. Blagin, D.P. Valyukhov, R.V. Pigulev, I.M. Khabibulin, L.S. Lunin. Inorganic Mater. 44, 793 (2008)
- K. Chakir, C. Bilel, M.M. Habchi, A. Rebey. Superlattices Microstructures 102, 56 (2017)
- F. Sarcan, O. Donmez, K. Kara, A. Ero, E. Akali n, M.C. Arikan, H. Makhloufi, A. Arnoult, C. Fontaine. Nanoscale Res. Lett. 9, 119 (2014)
- A. Rogalski. Opto-electron. Rev. 16, 458 (2008)
- C.A. Wang, H.K. Choi, S.L. Ransom. Appl. Phys. Lett. 75, 1305 (1999)
- S.A. Karandashev, B.A. Matveev, M.A. Remennyi, A.A. Shlenskii, L.S. Lunin, V.I. Ratushnyi, A.V. Koryuk, N.G. Tarakanova. Semiconductors 41, 1369 (2007)
- В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин, В.П. Попов. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов. Металлургия, М. (1987). 232 с
- Д.Л. Алфимова, Л.С. Лунин, М.Л. Лунина, А.С. Пащенко, С.Н. Чеботарев. Кристаллография 62, 137 (2017)
- Д.Л. Алфимова, Л.С. Лунин, М.Л. Лунина, А.С. Пащенко, С.Н. Чеботарев. Неорган. материалы 53, 33 (2017)
- М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский. Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников. Металлургия, М. (1985). 160 с
- В.Г. Зиновьев, А.И. Моргун, В.Б. Уфимцев. Неорган. материалы 29, 177 (1993).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
