Вышедшие номера
Растворимость теллура в кристаллах TlGaTe2, TlInTe2 и электрофизические свойства твердых растворов
Переводная версия: 10.1134/S1063783418090226
Наджафов А.И.1,2, Алиева Н.А.2, Халилова К.Г.1
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2Институт радиационных проблем Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Email: a.najafov@mail.ru
Поступила в редакцию: 16 августа 2017 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2018 г.

Комплексными методами физико-химического анализа исследованы сплавы системы TlGaTe2-Te и TlInTe2-Te, в которых обнаружена область растворимости теллура, доходящая до 5.0 ат.%. Исследованы температурные зависимости параметров решетки и электропроводности монокристаллов TlGaTe2+x и TlInTe2+x в разных кристаллографических направлениях. В твердых растворах TlGaTe2+x, TlInTe2+x обнаружен и интерпретирован фазовый переход при температуре 498 K.