Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние свойств подложек на морфологию нанометровых пленок BaxSr1-xTiO3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: r.ilin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 25 ноября 2002 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2003 г.
Начальные стадии роста пленок BaxSr1-xTiO3 на различных диэлектрических подложках исследованы посредством метода рассеяния ионов средних энергий, на основании полученных результатов проведен анализ микродефектов в пленке. Обнаружено, что в зависимости от формы, размеров и электростатического состояния кристаллографических ячеек поверхности подложки меняется характер роста пленки. На подложке SrTiO3 происходит эпитаксиальный рост. Пленка на подложке LaAlO3 состоит из слегка разориентированных кристаллитов. Характер роста пленки на подложке MgO островковый до толщины 20 nm, при этом происходит образование посторонних фаз; при увеличении толщины пленка приобретает эпитаксиальный характер роста. На поверхности alpha-Al2O3 (1102) растет поликристаллическая пленка, содержащая текстурированные блоки. Работа выполнена в рамках проекта N 1708 МНТЦ "Сегнетоэлектрические структуры для применения в радиоэлектронных приборах".
- L.C. Feldman, J.W. Mayer, S.R. Picraux. Materials Analysis by Ion Channeling. Academic Press, N.Y. (1992). 300 p
- В.В. Афросимов, Г.О. Дзюба, Р.Н. Ильин, М.Н. Панов, В.И. Сахаров, И.Т. Серенков, Е.А. Ганза. ЖТФ 66, 12, 76 (1996)
- D. Huttner, O. Meyer, J. Reiner, G. Linker. Nucl. Instr. Meth. B 118, 578 (1996)
- H. Ishiwara, S. Furukawa. J. Appl. Phys. 47, 4, 1686 (1976)
- С.Ф. Карманенко, А.И. Дедык, Н.Н. Исаков, В.И. Сахаров, И.Т. Серенков, Л.Т. Тер-Мартиросян. Письма в ЖТФ 25, 19, 50 (1999)
- В.В. Афросимов, Р.Н. Ильин, С.Ф. Карманенко, В.И. Сахаров, А.А. Семенов, И.Т. Серенков, Д.В. Яновский. ФТТ 41, 4, 588 (1999)
- L. Ryen, E. Olsson, L.D. Madsen, X. Wang, C.N.L. Edvardson, S.N. Jacobsen, U. Helmersson, S. Ruddner, L.-D. Wernlund. J. Appl. Phys. 83, 9, 4884 (1998)
- D.-W. Kim, D.-H. Kim, B.-S. Kang, T.W. Noh, D.R. Lee, K.B. Lee. Appl. Phys. Lett. 74, 15, 2176 (1999)
- В.В. Афросимов, Р.Н. Ильин, С.Ф. Карманенко, М.Н. Панов, В.И. Сахаров, И.Т. Серенков. Поверхность 8, 71 (1997)
- R.A. McKee, F.J. Walker, E.D. Specht, G.E. Jellison, L.A. Boatner. Phys. Rev. Lett. 72, 17, 2741 (1994)
- В.В. Афросимов, Е.К. Гольман, Р.Н. Ильин, Д.А. Плоткин, С.В. Разумов, В.И. Сахаров, И.Т. Серенков. Перспективные материалы 6, 10 (1998)
- C.H. Lei, C.L. Lia, J.G. Lisoni, M. Siegert, J. Schubert, Ch. Buchal, K. Urban. J. Cryst. Growth 219, 4, 397 (2000)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
