Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование особенностей формирования и свойств полупроводников А3В5, сильно легированных железом
Переводная версия: 10.1134/S1063783418110033 
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
2Center for Semiconductor Components and Nanotechnologies, State University of Campinas, Campinas, Brazil
3Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Фрязино, Россия
2Center for Semiconductor Components and Nanotechnologies, State University of Campinas, Campinas, Brazil
3Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Фрязино, Россия
Email: danilov@nifti.unn.ru
Выставление онлайн: 20 октября 2018 г.
Экспериментально исследованы слои полупроводников InAs, InSb и GaSb, сильнолегированных железом в процессе выращивания методом импульсного лазерного нанесения. Установлено, что наилучшими температурами для формирования слоев на подложках GaAs(100) являются 250oC (InSb : Fe), 300oC (InAs : Fe) и 350oC (GaSb : Fe). При высоких концентрациях Fe (более 10 at.%) слои обладают ферромагнитными свойствами, выражающимися в появлении петли гистерезиса на магнитополевых зависимостях сопротивления Холла, отрицательного магнетосопротивления и в некоторых случаях - намагниченности ферромагнитного типа при комнатной температуре измерений. Атомы железа не изменяют тип проводимости слоев; при этом слои InAs : Fe, InSb : Fe обладают проводимостью n-типа, а GaSb : Fe - p-типа за счет собственных точечных дефектов. Работа выполнена в рамках реализации государственного задания - проект N 8.1751.2017/ПЧ Минобрнауки России и при поддержке РФФИ (гранты N 17-37-80008_мол_эв_а, 16-07-01102_а).
- T. Dietl, H. Ohno. Rev. Mod. Phys. 86, 187 (2014)
- P.N. Hai, L.D. Anh, S. Mohan, T. Tamegai, M. Kodzuka, T. Ohkubo, K. Hono, M. Tanaka. Appl. Phys. Lett. 101, 182403 (2012)
- P.N. Hai, L.D. Anh, M. Tanaka. Appl. Phys. Lett. 101, 252410 (2012)
- L.D. Anh, P.N. Hai, M. Tanaka. Appl. Phys. Lett. 104, 042404 (2014)
- D. Sasaki, L.D. Anh, P.N. Hai, M. Tanaka. Appl. Phys. Lett. 104, 142406 (2014)
- N.T. Tu, P.N. Hai, L.D. Anh, M. Tanaka. Appl. Phys. Lett. 105, 132402 (2014)
- N.T. Tu, P.N. Hai, L.D. Anh, M. Tanaka. Phys. Rev. B 92, 144403 (2015)
- N.T. Tu, P.N. Hai, L.D. Anh, M. Tanaka. Appl. Phys. Lett. 108, 192401 (2016)
- L.D. Anh, D. Kaneko, P.N. Hai, M. Tanaka. Appl. Phys. Lett. 107, 232405 (2015)
- Б.Н. Звонков, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Ю.Н. Дроздов, А.В. Кудрин, М.В. Сапожников. ФТТ 52, 2124 (2010)
- Q. Liu, C.L. Yuan, C.L. Gan, G.C. Han. J. Appl. Phys. 110, 033907 (2011)
- A.S. Kuz'mina, А.А. Lotin, O.A. Novodvorsky, N.S. Perov, E.A. Gan'shina, L.A. Makarova, A.S. Semisalova, A.G. Shneider, M.P. Kuz'min, S.S. Kolesnikov. Mater. Chem. Phys. 198, 291 (2017)
- Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников. Наука, М. (1977). 368 с
- P.S. Dutta, H.L. Bhat, V. Kumar. J. Appl. Phys. 81, 5821 (1997)
- A.V. Kudrin, Yu.A. Danilov, V.P. Lesnikov, M.V. Dorokhin, O.V. Vikhrova, D.A. Pavlov, Yu.V. Usov, I.N. Antonov, R.N. Kriukov, A.V. Alaferdov, N.A. Sobolev. J. Appl. Phys. 122, 183901 (2017)
- А.В. Кудрин, Ю.А. Данилов, В.П. Лесников, Е.А. Питиримова. ПЖТФ 42, 2, 63 (2016)
- А.В. Кудрин, Ю.А. Данилов, В.П. Лесников, О.В. Вихрова, Д.А. Павлов, Ю.В. Усов, Е.А. Питиримова, И.Н. Антонов. ФТТ 59, 2200 (2017)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
