Высокотемпературная лазерная генерация квантово-каскадных лазеров в спектральной области 8 mum
Дюделев В.В.1,2, Лосев С.Н.1, Мыльников В.Ю.1, Бабичев А.В.1, Когновицкая Е.А.3, Слипченко С.О.1, Лютецкий А.В.1, Пихтин Н.А.1, Гладышев А.Г.4, Карачинский Л.Я.2,4, Новиков И.И.2,4, Егоров А.Ю.2, Кучинский В.И.1, Соколовский Г.С.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
4ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
Email: gs@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 22 мая 2018 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2018 г.
Представлены исследования характеристик квантово-каскадных лазеров с длиной волны генерации в области 8 mum при высоких температурах вплоть до +65oC. Определены характеристические температуры температурных зависимостей величины порогового тока и дифференциальной эффективности. Спектральные исследования показали наличие двух линий генерации коротковолновая ~7800 nm и длинноволновая ~8100 nm. Наблюдаемая конкуренция между коротковолновой и длинноволновой линиями генерации приводит к немонотонному характеру зависимости интенсивности излучения от тока накачки. Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации (уникальный идентификатор проекта RFMEFI61617X0074).
- R.F. Curl, F. Capasso, C. Gmachl, A.A. Kosterev, B. Mc Manus, R. Lewicki, H. Pusharsky, G. Wysocki, F. Tittel. Chem. Phys. Lett. 487, 1-3, 1 (2010). DOI: 10.1016/j.cplett.2009.12.073
- F. Capasso, C. Gmachl, R. Paiella, A. Tredicucci, A.L. Hutchinson, D.L. Sivco, J.N. Baillargeon, A.Y. Cho, H.C. Liu. IEEE J. Select. Top. Quant. Electron. 6, 6, 931 (2000). DOI: 10.1109/2944.902142
- J. Faist, F. Capasso, D.L. Sivco, C. Sirtori, A.L. Hutchinson, A.Y. Cho. Science 264, 5158, 553 (1994). DOI: 10.1126/science.264.5158.553
- S. Slivken, A. Evans, J. David, M. Razeghi. Appl. Phys. Lett. 81, 23, 4321 (2002). DOI: 10.1063/1.1526462
- C. Faugeras, S. Forget, E. Boer-Duchemin, H. Page, J.-Y. Bengloan, O. Parillaud, M. Calligaro, C. Sirtori. IEEE J. Quant. Electron. 41, 12, 1430 (2005). DOI: 10.1109/JQE.2005.858797
- J.S. Yu, S. Slivken, M. Razeghi. Semicond. Sci. Technol. 25, 125015 (2010). DOI: 10.1088./0268-1242/25/12/125015
- J.S. Yu, S. Slivken, A. Evans, M. Razeghi. Appl. Phys. A 93, 405 (2008). DOI: 10.1007/s00339-008-4783-9.
- J.C. Zhang, F.Q. Liu, L.J. Wang, S.Q. Zhai, D.Y. Yao, J.Q. Liu, Z.G. Wang. Physica E 48, 42-45 (2013). DOI: 10.1016/j.physe.2012.11.014
- J.D. Rirch, C.-C. Chang, C. Boile, L.J. Mawst, D. Lindberg, T. Earles, D. Botez. Appl. Phys. Lett. 106, 12, 151106 (2015). DOI: 10.1063/1.4917499
- S.M.S. Rassel, L. Li, Y. Li, R.Q. Yang, J.A. Gupta, X. Wu, G.C. Aers. Opt. Eng. 57, 1, 011021 (2018). DOI: 10.1117/1.QE.57.1.011021
- A.V. Babichev, A.G. Gladyshev, A.V. Filimonov, V.N. Nevedomskii, A.S. Kurochkin, E.S. Kolodeznyi, G.S. Sokolovskii, V.E. Bugrov, L.Ya. Karachinsky, I.I. Novikov, A. Bousseksou, A.Yu. Egorov. Tech. Phys. Lett. 43, 7, 666 (2017). DOI:10.1134/S1063785017070173
- G. Xu, V. Moreau, Y. Chassagneux, A. Bousseksou, R. Colombelli, G. Patriarche, G. Beaudoin, I. Sagnes. Appl. Phys. Lett. 94, 221101 (2009). DOI: 10.1063/1.3143652
- K. Fujita, M. Hitaka, A. Ito, T. Edamura, M. Yamanishi, S. Jung, M.A. Belkin. Appl. Phys. Lett. 106, 251104 (2015). DOI: 10.1063/1.4923203
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.