Описана модель акцептора Mn_Ga в GaAs, в которой Gamma₈ исходное основное состояние связанной дырки изменяется из-за антиферромагнитного обменного взаимодействия с пятью 3d-электронами остова Mn. Рассмотрены энергетический спектр акцептора и волновые функции его состояний, а также их изменение под влиянием деформаций, электрических и магнитных полей. Приведены выражения для описания различных свойств изолированных акцепторов Mn_Ga в GaAs, и проанализированы данные ряда экспериментов (изменение спектров и поляризации люминесценции и поглощения Mn_Ga⁰ при одноосных давлениях и в магнитном поле, спектры ЭПР, температурная зависимость магнитной восприимчивости, циркулярная поляризация фотолюминесценции при возбуждении поляризованным светом в магнитном поле и др.). Продемонстрировано, что в некоторых случаях необходимо учитывать существование в кристалле случайных электрических и деформационных полей, расщепляющих состояния акцептора. Результаты этого анализа показывают, что указанная модель хорошо согласуется c большинством экспериментальных результатов. Величина константы обменного взаимодействия лежит в диапазоне 3-5 meV. Работа была частично поддержана проектом РНФ 14-42-00015 (выполнение теоретических расчетов и оценок) и Программой Президиума РАН N 9 "Терацерцовая оптоэлектроника и спинтроника".

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.