На основе анализа магнитополевых и температурных зависимостей, гальваномагнитных эффектов и намагниченности проведено исследование характерных проявлений магнитного упорядочения и проводимости в полупроводниковых гетероструктурах с квантовой ямой GaAs : Be/Ga_0.84In_0.16As/GaAs и delta-слоями марганца различной толщины (0.4-2 монослоя). Наблюдалась аномальная зависимость проводимости от концентрации атомов марганца в delta-слое, обусловленная сильным рассеянием носителей заряда в структурах с низким содержанием магнитных примесей. Магнитные свойства гетероструктур содержали прямые свидетельства магнитного упорядочения примесной системы (насыщение и гистерезис намагниченности, проявление закона Кюри-Вейса при повышении температуры). Параметры магнитной подсистемы позволили выявить различный характер упорядочения систем с разной концентрацией магнитной примеси. Было показано, что изменение концентрации примеси Mn в delta-слое существенно влияет на проводящие свойства и магнетизм исследуемых структур. Работа выполнена в рамках государственного задания по теме Электрон" N АААА-А18-118020190098-5 и проекта N 18-10-2-6 Программы УрО РАН при поддержке РФФИ (грант N 18-02-00192).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.