Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Полевой эффект при формировании интерфейса однослойного графена с водой
Переводная версия: 10.1134/S1063783418120107 
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: vladimirybutko@gmail.com
Поступила в редакцию: 25 мая 2018 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2018 г.
Для создания ряда новых электронных устройств на основе графена, включая химические и биологические сенсоры, важное значение имеет установление закономерностей влияния интерфейса на электрические свойства графена. В данной работе созданы и исследованы структуры для транзисторных и четырех контактных электрических измерений на основе однослойного графена, выращенного путем термического разложения карбида кремния в атмосфере аргона. Изучалось влияние на электрические свойства графена добавления воды на его поверхность и обратного процесса ее высушивания. Установлено, что в исследуемых структурах полевой эффект является основным механизмом влияния формирования интерфейса графена с водой на его электрические свойства. Часть финансирования для проведения исследований предоставлена Физико-техническим институтом им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербургским академическим университетом и Комитетом по науке и высшей школе правительства Санкт-Петербурга.
- P.K. Ang, W. Chen, A.T.S. Wee, K.P. Loh. J. Am. Chem. Soc. 130, 14392 (2008)
- H. Wang, Y.H. Wu, C.X. Cong, J.Z. Shang, T. Yu. ACS Nano 4, 7221(2010)
- S.S. Kwon, J. Yi, W.W. Lee, J.H. Shin, S.H. Kim, S.H. Cho, S.W. Nam, W.I. Park. ACS Appl. Mater. Interfaces 8, 834 (2016)
- А.В. Бутко, В.Ю. Бутко, С.П. Лебедев, А.Н. Смирнов, В.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, Ю.А. Кумзеров. ФТТ 59, 2063 (2017)
- А.В. Бутко, В.Ю. Бутко, С.П. Лебедев, А.Н. Смирнов, В.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, Ю.А. Кумзеров. ФТТ 58, 1432 (2016)
- A.V. Butko, V.Y. Butko, S.P. Lebedev, A.A. Lebedev, V.Y. Davydov, A.N. Smirnov, I.A. Eliseyev, M.S. Dunaevskiy, Y.A. Kumzerov. Appl. Surf. Sci. 444, 36 (2018)
- А.В. Бутко, В.Ю. Бутко. ФТТ 57, 1031 (2015)
- A.V. Babichev, S.A. Rykov, M. Tchernycheva, A.N. Smirnov, V.Y. Davydov, Y.A. Kumzerov, V.Y. Butko. ACS Appl. Mater. Interfaces. 8, 240 (2015)
- Y.Y. Wang, P.J. Burke. Appl. Phys. Lett. 103, 052103 (2013)
- M.H. Lee, B.J. Kim, K.H. Lee, I.-S. Shin, W. Huh, J.H. Cho, M.S. Kang. Nanoscale 7, 7540 (2015)
- Y. Zhu, C. Wang, N. Petrone, J. Yu, C. Nuckolls, J. Hone, Q. Lin. Appl. Phys. Lett. 106, 123503 (2015)
- Z. Cheng, Q. Li, Z. Li, Q. Zhou, Y. Fang. Nano Lett. 10, 1864 (2010)
- T.A. Petach, K.V. Reich, X. Zhang, K. Watanabe, T. Taniguchi, B.I. Shklovskii, D. Goldhaber-Gordon. ACS Nano 11, 8395 (2017)
- V.Y. Butko, X. Chi, D.V. Lang, A.P. Ramirez. Appl. Phys. Lett. 83, 4773 (2003)
- V.Y. Butko, X. Chi, A.P. Ramirez. Solid State Commun. 128, 431 (2003)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
