Увлечение электронов в полупроводниковой наноструктуре потоком нейтральных частиц
Ганцевич С.В.1, Гуревич В.Л.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: sergei.elur@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 25 июля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2018 г.
Рассматривается увлечение носителей тока (электронов) в двумерной полупроводниковой наноструктуре при движении вблизи ее поверхности потока нейтральных частиц (атомов или молекул). Показано, что увлечение по физическому механизму похоже увлечению электронов ионным пучком в квантовых проволоках, рассмотренному ранее в работах В.Л. Гуревича и М.И. Мурадова.
- М.Б. Погребинский. ФТП 11, 637, (1977)
- V.L. Gurevich, V.B. Pevzner, E.W. Fenton. J. Phys.: Condens. Matter 10, 2551 (1998)
- J.S. Moon, M.A. Blount, J. Simmons, J.R. Wendt, S.K. Lyo, J.L. Reno. Phys. Rev. B 60, 11 530 (1999)
- P. Debray, P. Vasilopoulos, O. Raichev, R. Perrin, M. Rahman, W.C. Mitchel. Physica E 6, 694 (2000)
- P. Debray, V. Zverev, O. Raichev, R. Klesse, P. Vasilopoulos, R.S. Newrock. J. Phys.: Condens. Matter 13, 3389 (2001)
- V.L. Gurevich, M.I. Muradov. Zh. Eksp. Teor. Fiz. Pis'ma Red. 71, 164 (2000)
- V.L. Gurevich, M.I. Muradov. J. Phys.:Condens. Matter 14, 3300 (2001)
- V.L. Gurevich, M.I. Muradov. ЖЭТФ 148, 1137 (2015)
- В.Л. Гуревич, М.И. Мурадов. ФТТ 57, 12, 2429 (2015)
- С.В. Ганцевич, В.Л. Гуревич, Е.М. Собко, ФТТ 49, 12, 2125 (2007)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.