При T=300 K исследованы спектры резонансного рамановского рассеяния (РР) в образце ZnCdSe / ZnSe, в котором одновременно присутствуют одиночная квантовая яма и открытые нанопроволоки, изготовленные на ее основе. Энергии продольных оптических (LO) фононов, принимающих участие в формировании наблюдаемых спектров, в области квантовой ямы и в области образца с нанопроволоками заметно различаются. Выполнен расчет энергии LO-фононов в исследованных структурах с учетом влияния композиционного эффекта (введение Cd в ZnSe) и эффекта биаксиального напряжения. Показано, что при возбуждении в области экситонного резонанса РР происходит через свободные (протяженные) экситонные состояния на LO-фононах напряженного слоя ZnCdSe с конечными волновыми векторами вблизи центра зоны Бриллюэна. При возбуждении ниже экситонного резонанса слоя ZnCdSe заметный вклад в наблюдаемые линии РР вносят процессы резонансного рассеяния через состояния локализованных экситонов. В таких процессах рассеяния за счет конечных размеров локализованного состояния принимают участие фононы с большими волновыми векторами. При возбуждении в экситонной области толстых слоев барьера наблюдаемые линии PP формируются за счет рассеяния на фононах барьера ZnSe.p254

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.