Эволюция ансамбля микропор в структуре SiC/Si в процессе роста методом замещения атомов
Редьков А.В.1,2, Гращенко А.С.1,2, Кукушкин С.А.1,2,3, Осипов А.В.1,2, Котляр К.П.4,5, Лихачев А.И.4,5, Нащекин А.В.4,5, Сошников И.П.4,5
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: avredkov@gmail.com
Выставление онлайн: 17 февраля 2019 г.
Исследована временная эволюция ансамбля микропор, формирующихся в приповерхностной области кремния в процессе роста тонких пленок карбида кремния методом замещения атомов. Образцы SiC/Si исследованы методом сканирующей электронной микроскопии, эллипсометрии и конфокальной рамановской микроскопии. Показаны характерные этапы формирования пористого слоя: зарождение одиночных пор, их рост с образованием дендритоподобных структур и последующее срастание в сплошной слой. Продемонстрировано, что толщина пористого слоя на начальных этапах роста пропорциональна корню кубическому из времени. Обсуждаются возможные механизмы формирования пор и предложена теоретическая модель для описания зависимости средней толщины пористого слоя от времени, которая имеет хорошее качественное совпадение с экспериментальными результатами. Работа поддержана Российским научным фондом (грант # 14-12-01102).
- R.S. Pengelly, S.M. Wood, J.W. Milligan, S.T. Sheppard, W.L. Pribble. IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 60, 1764 (2012)
- R. Liu, F.A. Ponce, A. Dadgar, A. Krost. Appl. Phys. Lett. 83, 860 (2003).
- F.A. Ponce, D.P. Bour. Nature 386, 351(1997)
- S.N. Mohammad, H. Morko c. Progr. Quantum Electron., 20, 361 (1996)
- S. Nakamura. Jpn. J. Appl. Phys. 30, L1705 (1991)
- K. Linthicum, Т. Gehrke, D. Thomson, K. Tracy, E. Carlson, T. Smith, T. Zheleva, C. Zorman, M. Mehregany, R. Davis. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1 G4.9 (1999)
- S. Guha, N.A. Bojarczuk. Appl. Phys. Lett. 72, 415 (1998)
- S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. D. 47, 313001 (2014)
- S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Appl. Phys. 113, 024909 (2013)
- S.L. Khrypko, V.V. Kidalov. J. Nano- Electron. Phys. 8, 04071 (2016)
- V.V. Kidalov, S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, A. V. Redkov, A.S. Grashchenko, I.P. Soshnikov, M.E. Boiko, M.D. Sharkov, A.F. Dyadenchuk. Mater. Phys. Mech. 36, 39 (2018)
- V.N. Bessolov, D.V. Karpov, E.V. Konenkova, A.А. Lipovskii, A.V. Osipov, A.V. Redkov, I.P. Soshnikov, S.A. Kukushkin. Thin Solid Films 606, 74 (2016)
- S.A. Kukushkin, S.S. Sharofidinov, A.V. Osipov, A.V. Redkov, V.V. Kidalov, A.S. Grashchenko, I.P. Soshnikov, A.F. Dydenchuk. ECS J. Solid State Sci. Technol. 7, 480 (2018)
- S.I. Nakashima, H. Harima. Phys. Status Solidi A 162, 39 (1997)
- H. Richter, Z.P. Wang, L. Ley. Solid State Commun. 39, 625 (1981)
- С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 50, 1188 (2008)
- S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. Physica B: Condens. Matter 512, 26 (2017)
- В.В. Слезов, В.Б. Шикин. ФТТ 6, 7(1964)
- M. Sahimi, T.T. Tsotsis. Chem. Eng. Sci. 43, 113 (1988)
- P. Sun, J.R. Grace, C.J. Lim, E.J. Anthony. Chem. Eng. Sci. 63, 57 (2008)
- K. Sangwal. Etching of crystals: theory, experiment and application. Elsevier., Amsterdam (2012).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
