Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Эволюция ансамбля микропор в структуре SiC/Si в процессе роста методом замещения атомов

DOI: 10.21883/FTT.2019.03.47232.265

Переводная версия: 10.1134/S1063783419030272

Редьков А.В.^1,2, Гращенко А.С.^1,2, Кукушкин С.А.^1,2,3, Осипов А.В.^1,2, Котляр К.П.^4,5, Лихачев А.И.^4,5, Нащекин А.В.^4,5, Сошников И.П.^4,5

¹Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия Institute for Problems in Mechanical Engineering of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Institute for Problems in Mechanical Engineering of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

²Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия ITMO University, St. Petersburg, Russia

³Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

⁴Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

⁵Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: avredkov@gmail.com

Поступила в редакцию: 22 октября 2018 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2019 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследована временная эволюция ансамбля микропор, формирующихся в приповерхностной области кремния в процессе роста тонких пленок карбида кремния методом замещения атомов. Образцы SiC/Si исследованы методом сканирующей электронной микроскопии, эллипсометрии и конфокальной рамановской микроскопии. Показаны характерные этапы формирования пористого слоя: зарождение одиночных пор, их рост с образованием дендритоподобных структур и последующее срастание в сплошной слой. Продемонстрировано, что толщина пористого слоя на начальных этапах роста пропорциональна корню кубическому из времени. Обсуждаются возможные механизмы формирования пор и предложена теоретическая модель для описания зависимости средней толщины пористого слоя от времени, которая имеет хорошее качественное совпадение с экспериментальными результатами. Работа поддержана Российским научным фондом (грант # 14-12-01102).

R.S. Pengelly, S.M. Wood, J.W. Milligan, S.T. Sheppard, W.L. Pribble. IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 60, 1764 (2012)
R. Liu, F.A. Ponce, A. Dadgar, A. Krost. Appl. Phys. Lett. 83, 860 (2003).
F.A. Ponce, D.P. Bour. Nature 386, 351(1997)
S.N. Mohammad, H. Morko c. Progr. Quantum Electron., 20, 361 (1996)
S. Nakamura. Jpn. J. Appl. Phys. 30, L1705 (1991)
K. Linthicum, Т. Gehrke, D. Thomson, K. Tracy, E. Carlson, T. Smith, T. Zheleva, C. Zorman, M. Mehregany, R. Davis. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1 G4.9 (1999)
S. Guha, N.A. Bojarczuk. Appl. Phys. Lett. 72, 415 (1998)
S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. D. 47, 313001 (2014)
S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Appl. Phys. 113, 024909 (2013)
S.L. Khrypko, V.V. Kidalov. J. Nano- Electron. Phys. 8, 04071 (2016)
V.V. Kidalov, S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, A. V. Redkov, A.S. Grashchenko, I.P. Soshnikov, M.E. Boiko, M.D. Sharkov, A.F. Dyadenchuk. Mater. Phys. Mech. 36, 39 (2018)
V.N. Bessolov, D.V. Karpov, E.V. Konenkova, A.А. Lipovskii, A.V. Osipov, A.V. Redkov, I.P. Soshnikov, S.A. Kukushkin. Thin Solid Films 606, 74 (2016)
S.A. Kukushkin, S.S. Sharofidinov, A.V. Osipov, A.V. Redkov, V.V. Kidalov, A.S. Grashchenko, I.P. Soshnikov, A.F. Dydenchuk. ECS J. Solid State Sci. Technol. 7, 480 (2018)
S.I. Nakashima, H. Harima. Phys. Status Solidi A 162, 39 (1997)
H. Richter, Z.P. Wang, L. Ley. Solid State Commun. 39, 625 (1981)
С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 50, 1188 (2008)
S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. Physica B: Condens. Matter 512, 26 (2017)
В.В. Слезов, В.Б. Шикин. ФТТ 6, 7(1964)
M. Sahimi, T.T. Tsotsis. Chem. Eng. Sci. 43, 113 (1988)
P. Sun, J.R. Grace, C.J. Lim, E.J. Anthony. Chem. Eng. Sci. 63, 57 (2008)
K. Sangwal. Etching of crystals: theory, experiment and application. Elsevier., Amsterdam (2012).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель