Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2019, выпуск 4 » Статья стр. 636
<<<>>>
Локализация носителей в квантовых точках с одноосной анизотропией формы и состава
DOI: 10.21883/FTT.2019.04.47405.335
Переводная версия: 10.1134/S1063783419040267
Семина М.А.1, Головатенко А.А.1, Шубина Т.В.1, Родина А.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: msemina@gmail.com
Поступила в редакцию: 10 декабря 2018 г.
В окончательной редакции: 10 декабря 2018 г.
Принята к печати: 11 декабря 2018 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2019 г.
PDF версия
Представлены результаты теоретического исследования электронных и дырочных состояний в квантовых точках (КТ) на основе кубических полупроводников II-VI сфероидальной формы, характеризующихся одноосной анизотропией. Рассмотрены гладкие потенциальные энергетические профили, моделируемые функцией Гаусса во всех трех пространственных направлениях. Проанализировано понижение уровня энергии, а также расщепление по энергии четырехкратно вырожденного состояния дырок из вершины валентной зоны 8 с моментом 3/2 на состояния с проекциями ±3/2, ±1/2 на ось анизотропии. Рассмотрена анизотропия КТ трех видов: анизотропия размера КТ, анизтропия потенциального барьера КТ и комбинированная анизотропия. В первом случае рассмотрены сплюснутые квантовые точки, характерный размер которых в плоскости структуры больше чем размер вдоль оси анизотропии. Во втором случае рассмотрены КТ, в которых высота потенциального барьера в плоскости меньше, чем высота потенциального барьера вдоль оси анизотропии. В третьем случае рассмотрены сплюснутые квантовые точки с анизотропией как размера так и потенциального барьера. Установлены условия локализакции носителей заряда внутри КТ и обсуждаются влияние анизотропии формы и состава на энергии экситонных переходов структур с квантовыми точками CdxZn1-xSe. Работа выполнена при поддержке Российского научного фонда (проект N 14-22-00107).
  1. Single semiconductor quantum dots / Ed. P. Michler. Springer, Berlin (2009)
  2. M.D. Eisaman, J. Fan, A. Migdall, S.V. Polyakov. Rev. Sci. Instruments 82, 071101 (2011)
  3. N. Boto, P. Kok, D.S. Abrams, S.L. Braunstein, C.P. Williams, J.P. Dowling. Phys. Rev. Lett. 85, 2733 (2000)
  4. V. Giovannetti, S. Lloyd, L. Maccone. Science 306, 1330 (2004)
  5. C. Santori, D. Fattal, J. Vuckovic, G.S. Solomon, Y. Yamamoto. Nature 419, 594 (2002)
  6. Y.M. He, Y. He, Y.-J. Wei, D. Wu, M. Atature, C. Schneider, S. Hofling, M. Kamp, C.-Y. Lu, J.-W. Pan. Nature Nanotech. 8 213 (2013)
  7. G. Sallen, A. Tribu, T. Aichele, R. Andr\`e, L. Besombes, C. Bougerol, S. Tatarenko, K. Kheng, J.Ph. Poizat. Phys. Rev. B 80, 085310 (2009)
  8. O. Fedorych, C. Kruse, A. Ruban, D. Hommel, G. Bacher, T. Kummell. Appl. Phys. Lett. 100, 061114 (2012)
  9. W. Quitsch, T. Kimmell, A. Gust, C. Kruse, D. Hommel, G. Bacher. Appl. Phys. Lett. 105, 091102 (2014)
  10. A. A. Toropov, M.V. Rakhlin, K.G. Belyaev, S.V. Sorokin, G.V. Klimko, S.V. Gronin, I.V. Sedova, I.S. Mukhin, T.V. Shubina, S.V. Ivanov. J. Phys.: Conf. Ser. 917, 022001 (2017)
  11. S.V. Ivanov, A.A. Toropov, T.V. Shubina, S.V. Sorokin, A.V. Lebedev, I.V. Sedova, P.S. Kop'ev. J. Appl. Phys. 83, 3168 (1998)
  12. F. Gindele, U. Woggon, W. Langbein, J. M. Hvam, K. Leonardi, D. Hommel, H. Selke, Phys. Rev. B 60, 8773 (1999)
  13. A. Klochikhin, A. Reznitsky, B. Dal Don, H. Priller, H. Kalt, C. Klingshirn. Phys. Rev. B 69, 085308 (2004)
  14. M.V. Rakhlin, K.G. Belyaev, I.V. Sedova, S.V. Sorokin, S.V. Gronin, A.A. Usikova, A.A. Sitnikova, P.N. Brunkov, S.V. Ivanov, A.A. Toropov. Phys. Status Solidi C 13, 514 (2016)
  15. V. Turck, S. Rodt, O. Stier, R. Heitz, U.W. Pohl, R. Engelhardt, D. Bimberg. J. Lumin. 87--89, 337 (2000)
  16. L. Besombes, K. Kheng, L. Marsal, H. Mariette. Phys. Rev. B 63, 155307 (2001)
  17. M.V. Rakhlin, K.G. Belyaev, G.V. Klimko, I.S. Mukhin, D.A. Kirilenko, T.V. Shubina, S.V. Ivanov, A.A. Toropov. Sci. Rep. 8, 5229 (2018)
  18. N. Peranio, A. Rosenauer, D. Gerthsen, S.V. Sorokin, I.V. Sedova, S.V. Ivanov. Phys. Rev. B 61, 16015 (2000)
  19. D. Litvinov, A. Rosenauer, D. Gerthsen, N.N. Ledentsov. Phys. Rev. B 61, 16819 (2000)
  20. D. Litvinov, M. Schowalter, A. Rosenauer, B. Daniel, J. Fallert, W. Loffler, H. Kalt, M. Hetterich. Phys. Status Solidi A 205, 2892 (2008)
  21. С.В. Сорокин, И.В. Седова, К.Г. Беляев, М.В. Рахлин, М.А. Яговкина, А.А. Торопов, С.В. Иванов. Письма в ЖТФ 6, 94 (2018)
  22. T.V. Shubina, A.V. Rodina, M.A. Semina, A.A. Golovatenko, A.A. Toropov, M.V. Rakhlin, I.V. Sedova, S.V. Sorokin, S.V. Gronin, A.A. Sitnikova, D.I. Kuritsyn, S.M. Sergeev, Z.F. Krasil'nik, S.V. Ivanov. Phys. Status Solidi B 253, 1485 (2016)
  23. A.A. Golovatenko, M.A. Semina, A.V. Rodina, T.V. Shubina. Acta Phys. Polon. A 129, 107 (2016)
  24. Т.В. Шубина, К.Г. Беляев, M.A. Семина, A.В. Родина, A.A. Головатенко, А.А. Торопов, С.В. Сорокин, И.В. Седова, В.Ю. Давыдов, А.Н. Смирнов, П.C. Копьев, С.В. Иванов. ФТТ 58, 2175 (2016)
  25. M.A. Semina, A.A. Golovatenko, A.V. Rodina. Phys. Rev. B 93, 045409 (2016)
  26. А.А. Головатенко М.А. Семина, А.В. Родина, Т.В. Шубина, ФТТ 8, 1499 (2018)
  27. S. Adachi. Properties of Semiconductor Alloys: Group-IV, III-V and II-VI Semiconductors. Chippenham. John Wiley and Sons Ltd (2009)
  28. J.M. Luttinger. Phys. Rev. 102, 1030 (1956)
  29. B.L. Gel'mont, M.I. D'yakonov. Sov. Phys. Semicond. 5, 905 (1971)
  30. Al.L. Efros, M. Rosen, M. Kuno, M. Nirmal, D.J. Norris, M. Bawendi. Phys. Rev. B 54, 4843 (1996).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme