Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2019, выпуск 4 » Статья стр. 652
<<<>>>
Влияние термообработки на дисперсию магнитной анизотропии нановключений MnSb, внедренных в тонкие пленки GaMnSb
DOI: 10.21883/FTT.2019.04.47407.310
Переводная версия: 10.1134/S1063783419040073
Минобрнауки России, 16.2814.2017/ПЧ
Дмитриев А.И.1,2, Кочура А.В. 3, Кузьменко А.П. 3, Паршина Л.С.4, Новодворский О.А.4, Храмова О.Д.4, Кочура Е.П. 3, Васильев А.Л.5, Аронзон Б.А. 5,6
1Институт проблем химической физики РАН, Черноголовка, Россия
2Российский университет транспорта (МИИТ), Москва, Россия
3Юго-Западный государственный университет (ЮЗГУ), Курск, Россия
4Институт проблем лазерных и информационных технологий --- филиал ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук, Шатура, Россия
5Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
6Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Email: akochura@mail.ru, apk3527@mail.ru, ekochura@mail.ru, aid@icp.ac.ru
Поступила в редакцию: 8 ноября 2018 г.
В окончательной редакции: 8 ноября 2018 г.
Принята к печати: 8 ноября 2018 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2019 г.
PDF версия
В тонких пленках GaMnSb с нановключениями MnSb, полученных методом импульсного лазерного осаждения, наблюдается температурноконтролируемое увеличение магнитной анизотропии и ее дисперсии. Данные просвечивающей электронной микроскопии указывают на то, что в образцах происходит переход кристаллической структуры магнитных нановключений MnSb из гексагональной (п. г. P63/mmc) в кубическую (п. г. F-43m). Анализ температурных зависимостей магнитного момента m(T), измеренных с помощью СКВИД-магнитометра, для неотожженных и отожженных образцов, охлажденных в нулевом магнитном поле и магнитном поле напряженностью 10 kOe, указывает на то, что этот механизм не является единственным. В неотожженных образцах распределение магнитной анизотропии нановключений MnSb, определенное из зависимостей m(T), является унимодальным. В отожженных образцах эта же зависимость становится мультимодальной. Это означает, что в образцах при отжиге протекают несколько термоактивированных процессов, приводящих к тому, что в отожженных тонких пленках присутствуют несколько "популяций" нановключений. Вклад в увеличение магнитной анизотропии при отжиге могут давать как структурный фазовый переход, так и рассогласование кристаллических решеток между MnSb и GaSb, увеличение среднего объема нановключений MnSb, а также изменение их стехиометрии. Работа выполнена по теме государственного задания 0089-2019-0011 с использованием оборудования Аналитического центра коллективного пользования ИПХФ РАН, а также при поддержке Министерства образования и науки РФ (N 16.2814.2017/ПЧ) и РФФИ (N 17-02-00262, 15-07-03580). В части осаждения тонких пленок GaMnSb работа выполнена при поддержке Министерства науки и высшего образования в рамках государственного задания ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН (соглашение N 007-Г3/Ч3363/26).
  1. F. Meier, B.P. Zakharchenya. Optical Orientation. Modern Problems in Condensed Matter Science / Ed. V.M. Agronovich, A.A. Maradudin. Elsevier, Amsterdam, North Holland Publishing Co., V. 8 (1984)
  2. G.A. Prinz. Science 250, 1092 (1990)
  3. T. Dietl, H. Ohno, F. Matsukura, J. Cibert, D. Ferrand. Science 287, 1019 (2000)
  4. В.А. Иванов, Т.Г. Аминов, B.M. Новоторцев, В.Т. Калинников. Спинтроника и спинтронные материалы. Изв. AH Сер. хим. 11, 2255 (2004)
  5. T. Jungwirth, J. Sinova, J. Mav sek, J. Kuv cera, A.H. MacDonald. Rev. Mod. Phys. 78, 809 (2006)
  6. S. Kuroda, N. Nishizawa, K. Takita, M. Mitome, Y. Bando, K. Osuch, T. Dietl. Nature Mater. 6, 440 (2007)
  7. T. Dietl, H. Ohno. Rev. Mod. Phys. 86, 187 (2014)
  8. K. Sato, L. Bergqvist, J. KudrnovskT, P.H. Dederichs, O. Eriksson, I. Turek, B. Sanyal, G. Bouzerar, H. Katayama-Yoshida, V.A. Dinh, T. Fukushima, H. Kizaki, R. Zeller. Rev. Mod. Phys. 82, 1633 (2010)
  9. R.B. Morgunov, A.I. Dmitriev, O.L. Kazakova. Physic. Rev. B 80, 085205 (2009)
  10. A.И. Дмитриев, Р.Б. Моргунов, О.Л. Казакова, Й. Танимото. ЖЭТФ 135, 1134 (2009)
  11. L.N. Oveshnikov, E.I. Nekhaeva, A.V. Kochura, A.B. Davydov, M.A. Shakhov, S.F. Marenkin, O.A. Novodvorskii, A.P. Kuzmenko, A.L. Vasiliev, B.A. Aronzon, E. Lahderanta. Beilstein J. Nanotechnol. 9, 2457 (2018)
  12. J.D. Boeck, R. Oesterholt, A.V. Esch, H. Bender, C. Bruynseraede. Appl. Phys. Lett., 68, 2744 (1996)
  13. A. Bonanni, A. Navarro-Quezada, T. Li, M. Wegscheider, Z. Matv ej, V. Holy, R.T. Lechner, G. Bauer, M. Rovezzi, F. D'Acapito, M. Kiecana, M. Sawicki, T. Dietl. Phys. Rev. Lett. 101, 135502 (2008)
  14. F. Matsukura, E. Abe, H. Ohno. J. Appl. Phys. 87, 6442 (2000)
  15. F. Matsukura, E. Abe, Y. Ohno, H. Ohno. Appl. Surf. Sci. 159-160, 265 (2000)
  16. A.V. Kochura, B.A. Aronzon, K.G. Lisunov, A.V. Lashkul, A.A. Sidorenko, R. De Renzi, S.F. Marenkin, M. Alam, A.P. Kuzmenko, E. Lahderanta. J. Appl. Phys. 113, 083905 (2013)
  17. H. Akinaga, S. Miyanishi, K. Tanaka, W. Van Roy, K. Onodera. Appl. Phys. Lett. 76, 97 (2000)
  18. H. Shimizu, M. Tanaka. J. Appl. Phys. 89, 7281 (2001)
  19. Sh.U. Yuldashev, Y. Shon, Y.H. Kwon, D.J. Fu, D.Y. Kim, H.J. Kim, T.W. Kang, X. Fan. J. Appl. Phys. 90, 3004 (2001)
  20. Р.Б. Моргунов, М. Фарле, О.Л. Казакова. ЖЭТФ 134, 141 (2008)
  21. R. Morgunov, M. Farle, M. Passacantando, L. Ottaviano, O. Kazakova. Phys. Rev. B 78, 045206 (2008)
  22. P.N. Hai, S. Ohya, M. Tanaka, S.E. Barnes, S. Maekawa. Nature 458, 489 (2009)
  23. В.В. Рыльков, Б.А. Аронзон, Ю.А. Данилов, Ю.Н. Дроздов, В.П. Лесников, К.И. Маслаков, В.В. Подольский. ЖЭТФ 127, 838 (2005)
  24. А.Д. Таланцев, О.В. Коплак, Р.Б. Моргунов. ФТТ 57, 307 (2015).
  25. О.В. Коплак, А.А. Поляков, А.Б. Давыдов, Р.Б. Моргунов, А.Д. Таланцев, А.В. Кочура, И.В. Федорченко, О.А. Новодворский, Л.С. Паршина, О.Д. Храмова, А.В. Шорохова, Б.А. Аронзон. ЖЭТФ 147, 1170 (2015)
  26. A.I. Dmitriev, A.D. Talantsev, O.V. Koplak, R. Morgunov. J. Appl. Phys. 119, 073905 (2016)
  27. А.И. Дмитриев, А.А. Филатов. ФТТ 59, 1712 (2017)
  28. А.И. Дмитриев, А.В. Кочура, А.П. Кузьменко, Л.С. Паршина, О.А. Новодворский, О.Д. Храмова, Е.П. Кочура, А.Л. Васильев, Б.А. Аронзон. ЖЭТФ 154, 613 (2018)
  29. С.Ф. Маренкин, О.А. Новодворский, А.В. Шорохова, А.Б. Давыдов, Б.А. Аронзон, А.В. Кочура, И.В. Федорченко, О.Д. Храмова, А.В. Тимофеев. Неорган. материалы 50 973 (2014)
  30. А.А. Lotin, О.А. Novodvorsky, L.S. Parshina, Е.V. Khaydukov, D.A. Zuev, O.D. Khramova, V.Ya. Panchenko. Appl. Phys. B 104, 565 (2011)
  31. H. Zhang, S.S. Kushvaha, S. Chen, X. Gao, D. Qi, A.T.S. Wee, X.-S. Wang. J. Appl. Phys. 90, 202503 (2007)
  32. M.A. Hettiarachchi, E. Abdelhamid, B. Nadgorny, S.L. Brock. J. Mater. Chem. C 4, 6790 (2016)
  33. J.D. Aldous, C.W. Burrows, A.M. Sanchez, R. Beanland, I. Maskery, M.K. Breadley, M.D. Dias, J.B. Staunton, G.R. Bell. Phys. Rev. B 85, 060403 (2012)
  34. J.-Ch. Zheng, J.W. Davenport. Phys. Rew. B. 69, 144415 (2004)
  35. F. Tournus, A. Tamion. J. Magn. Magn. Mater. 323, 1118 (2011)
  36. I.J. Bruvera, P.M. Zelis, M.P. Calatayud, G.F. Goya, F.H. Sanchez. J. Appl. Phys. 118, 184304 (2015)
  37. V. Seshi Bai, K.V.S. Rama Rao. J. Appl. Phys. 55, 2167 (1984)
  38. T. Okita, Y. Makino. J. Phys. Soc. Jpn. 25, 120 (1968).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme