Диэлектрический отклик керамических твердых растворов 16BiScO3-42PbMg1/3Nb2/3O3-42PbTiO3 в электрическом поле
Камзина Л.С.1, Таланов М.В.2, Буш А.А.3, Спицин А.И.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Южный федеральный университет, Институт физики, Ростов-на-Дону, Россия
3МИРЭА - Российский технологический университет, Москва, Россия
Email: askam@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 1 апреля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2019 г.
Представлены результаты исследования диэлектрических и электромеханических свойств керамических образцов сегнетоэлектрика-релаксора 16BiScO3-42PbMg1/3Nb2/3O3-42PbTiO3 в электрических полях (0<E<20 kV/cm). В полях, превышающих коэрцитивное поле (E>10 kV/cm), обнаружено значительное снижение величины диэлектрической проницаемости со временем, а также исчезновение гистерезиса на зависимости продольной деформации от напряженности электрического поля, что связывается нами с индуцированным фазовым переходом в сегнетоэлектрическую фазу. Показано, что индуцированная в поле фаза (предположительно тетрагональная) является нестабильной и частично упорядоченной. Немонотонный характер временных зависимостей диэлектрической проницаемости, наблюдаемый в исследуемой керамике и отличающийся от других сегнетоэлектриков-релаксоров, объясняется сосуществованием стекольной и сегнетоэлектрической фаз. Ключевые слова: сегнетоэлектричество, релаксоры, фазовые переходы.
- S. Zhang, F. Li. J. Appl. Phys. 111, 031301 (2012)
- S.-E. Park, T.R. Shrout. IEEE Trans. Ultrason. Ferroelectr. Freq. Control. 44 (5), 1140 (1997)
- S.-E. Park, T.R. Shrout. J. Appl. Phys. 82, 4, 1804 (1997)
- S.J. Zhang, P.W. Rehrig, C.A. Randall, T.R. Shrout. J. Crystal Growth. 234, 415 (2002)
- N. Yasuda, H. Ohwa, M. Kume, K. Hayashi, Y. Hosono, Y. Yamashita. J. Crystal Growth. 229, 229 (2001)
- S.J. Zhang, L. Lebrun, S.R. Rhee, R.E. Eitel, C.A. Randal, T.R. Shrout. J. Crystal Growth. 236, 210 (2002)
- S.J. Zhang, S.M. Lee, D.H. Kim, H.Y. Lee, T.R. Shrout. Appl.Phys. Lett. 90, 232911 (2007)
- S.J. Zhang, J. Luo, W. Hackenberger, T.R. Shrout. J. Appl. Phys. 104, 064106 (2008)
- C.J. Stringer, T.R. Shrout, C.A. Randall. J. Appl. Phys. 101, 054107 (2007)
- А.А. Буш, К.Е. Каменцев, М.А. Бехтин, А.Г. Сегалла. ФТТ 59, 36 (2017)
- A.A. Bush, K.E. Kamentsev, A.M. Lavrent'ev, A.G. Segalla, Yu.K. Fetisov. Inorg Mater. 47, 779 (2011)
- M.V. Talanov, A.A. Bush, K.E. Кamentsev, V.P. Sirotinkin, A.G. Segalla. J. Am. Ceram. Soc. 101, 2, 683 (2018)
- S.L. Ginzburg. Irreversible Phenomena of Spin Glasses. Nauka, M. (1989)
- Y.-H. Bing, A.A. Bokov, Z.-G. Ye. Current Appl. Phys. 11, s14 (2011)
- А.А. Буш, В.Г. Сиротинкин, А.Г. Сегалло, А.И. Спицин. Кристаллография 63, 93 (2018)
- F. Chu, I.M. Reaney, N. Setter. Ferroelectrics 151, 343 (1994)
- E.V. Colla, E.Y. Koroleva, N.M. Okuneva, S.B. Vakhrushev. Phys. Rev. Lett. 74, 1681 (1995)
- Л.С. Камзина. ФТТ 58, 2372 (2016)
- Л.С. Камзина, Л.А. Кулакова. ФТТ 60, 955 (2018)
- Л.С. Камзина, Л.А. Кулакова, H. Luo. ФТТ 61, 703 (2019)
- Л.С. Камзина, Л.А. Кулакова. ФТТ 59, 290 (2017)
- Л.С. Камзина, Л.А. Кулакова, G. Li. ФТТ 61, 104 (2019)
- D.-S. Paik, S.-E. Park, S. Wada, S.-F. Liu, T.R. Shrout. J. Appl. Phys. 85, 2, 1080 (1999)
- B. Noheda, Z. Zhong, D.E. Cox, G. Shirane, S.-E. Park, P. Rehrig. Phys. Rev. B 65, 224101 (2002)
- W. Ren, S-F. Liu, B.K. Mukherjee. Appl. Phys. Lett. 80, 3174 (2002)
- M. Davis, D. Damjanovic, N. Setter. Phys. Rev. B 73, 014115 (2006)
- М.В. Таланов, О.А. Бунина, М.А. Бунин, И.Н. Захарченко, Л.А. Резниченко. ФТТ 55, 288 (2013)
- M.V. Talanov, L.A. Shilkina, L.A. Reznichenko. Sensor Actuat. A 217, 62 (2014)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
