Вышедшие номера
Слоевые нанопроволоки --- матричный синтез, структура и магнитные свойства
Переводная версия: 10.1134/S1063783419090282
Загорский Д.Л.1,2, Долуденко И.М.1, Черкасов Д.А.1, Жигалина О.М.1,3, Хмеленин Д.Н.1, Иванов И.М.1,3, Бухараев А.А.4, Бизяев Д.А.4, Хайбуллин Р.И. 4, Шаталов С.А.1
1Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия
2Московский университет нефти и газа им. И.М. Губкина, Москва, Россия
3Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана, Москва, Россия
4Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского, ФИЦ Казанский научный центр РАН, Казань, Россия
Email: dzagorskiy@gmail.com, rik@kfti.knc.ru
Поступила в редакцию: 15 апреля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2019 г.

Методом матричного синтеза в порах полимерной трековой мембраны были синтезированы нанопроволоки диаметром 100 nm, состоящие из чередующихся слоев Ni/Cu и Co/Cu с толщинами слоев от 10 до 500 nm. Подобраны составы и режимы "импульсного" электроосаждения нанопроволок. Предложен режим роста нанопроволок с протеканием одинакового заряда в импульсе. Показано, что уменьшение заряда в импульсе сначала ведет к уменьшению толщины слоя (до 10-15 nm), а затем наблюдается "перемешивание" элементного состава слоев и/или образование в нанопроволоке наноструктур типа "стержень-оболочка" ("core-stick"). Методом магнитометрии определены коэрцитивная сила (15-30 mT) и остаточная намагниченность слоевых нанопроволок. Петли магнитного гистерезиса, при регистрации в "out-of-plane" и "in-plane" геометриях измерения, подобны по форме и параметрам при толщине слоев в нанопроволоке 50-100 nm. Для нанопроволок с более толстыми слоями, 250 и 500 nm, наблюдается заметное различие в кривых гистерезиса, обусловленное магнитной анизотропией (появление оси легкого намагничивания вдоль оси нанопроволоки) и взаимным влиянием близкорасположенных нанопроволок. Магнитно-силовая микроскопия единичных нанопроволок выявила в них области намагниченности с геометрическими размерами ~100-150 nm. Показано, что внешним магнитным полем (16 mT, вдоль оси нанопроволоки) удается частично перемагнитить нанопроволоку. Ключевые слова: гетероструктурные нанопроволоки, гальваническое осаждение, магнитометрия, микроскопия.